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1200 V

1200 V

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GD400CLK120C2S

Modulo IGBT, 1200V 400A;Chopper in un unico pacchetto

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400CLK120C2S
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • Tecnologia NPT IGBT
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

tipica Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • alimentazione ininterrotta

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Igbt

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc= 80oc

615

400

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

800

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 150oc

2358

- Sì

Diodo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

400

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

800

a)

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

150

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 25oc

 

2.15

2.60

 

v

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 125oc

 

2.65

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 4,0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25oc

5.2

5.7

6.2

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

 

 

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

 

 

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

 

 

0.5

 

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

 

26.2

 

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

1.68

 

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

 

4.18

 

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 2,2Ω,

vGE=± 15V, tj= 25oc

 

392

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

129

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

567

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

143

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

8.40

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

37.3

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 2,2Ω,

vGE=± 15V, tj= 125oc

 

395

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

135

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

604

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

154

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

12.0

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

42.7

 

mj

 

Isc

 

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 125oC,V- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V

 

 

2400

 

 

a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 25oc

 

1.80

2.25

v

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 125oc

 

1.85

 

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If= 400A,

- di/dt=2840A/μs,VGE=± 15V, tj= 25oc

 

35.2

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

246

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

17.1

 

mj

Qr

Importo recuperato

v- Cc= 600V,If= 400A,

- di/dt=2840A/μs,VGE=± 15V, tj= 125oc

 

56.0

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

312

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

26.3

 

mj

 

 

modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Connessione con il caso (per D)iodio)

 

 

0.053

0.103

C/W

 

rthCH

Cassa-sink (perIGBT)

Cassa-sink (p)diodo)

Cassa-sink (permodulo)

 

0.048

0.094

0.032

 

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

peso di modulo

 

350

 

g

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