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di potenza superiore a 600 V

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GD3600SGT170A4S

Modulo IGBT,1700V 3600A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD3600SGT170A4S
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • basso vCE (sat)Trench IGBTtecnologia
  • 10 μs capacità di cortocircuito
  • vCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Induttanza bassa caso
  • Rapido FWD a recupero inverso morbido antiparallelo
  • AlSiC baseplate per alta potenza ciclo capacità
  • AlN substrato per bassa resistenzatermica

applicazioni tipiche

  • Motori a inverter alternativi
  • alimentazione ininterrotta
  • Turbine Eoliche

Valori di rating massimi assolutitc= 25°C salvo diversa indicazionenota

 

Il simbolo

Descrizione

value

unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

v

VGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

- -

Corrente del collettore @ TC=25℃

Corrente del collettore @ TC=80°C

5200

a)

3600

ICM(1)

Corrente del Collettore Pulsata    tp= 1ms

7200

a)

Se

Diodo di corrente continua in avanti

3600

a)

se m

Corrente Massima Diretta del Diode    @ TC=80℃

7200

a)

PD

Massima dissipazione di potenza    @ Tj=175℃

20

kW

Tj

Temperatura massima di giunzione

175

°C

TSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

°C

VISO

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

montamento

Vite del Terminale di Segnale:M4

1.8 a 2.1

 

Vite del Terminale di Potenza:M8

8.0 a 10

n.m.

coppia

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

4.25 a 5.75

 

 

Caratteristiche elettriche di Igbttc= 25°C se non diversamente indicato

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

V ((BR) CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

Tj=25°C

1700

 

 

v

ICES

Corrente di taglio del collettore

VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25°C

 

 

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello

corrente

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

 

 

400

- No

VGE (th)

Limita di emissione della porta

tensione

IC=145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

v

 

 

VCE (sat)

 

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

 

2.00

2.45

 

 

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125℃

 

2.40

2.85

CdG

Importo della porta

VGE=-15...+15V

 

42.0

 

μC

RGint

Resistore Interno del Gate

Tj=25°C

 

0.4

 

Oh

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

 

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

 

730

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

205

 

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

 

1510

 

NS

Tf

Tempo di caduta

 

185

 

NS

EON

Perdita di Commutazione di Accensione

 

498

 

mj

EOFF

Perdita di Commutazione di Spegnimento

 

1055

 

mj

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

 

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

 

785

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

225

 

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

 

1800

 

NS

Tf

Tempo di caduta

 

325

 

NS

EON

Perdita di Commutazione di Accensione

 

746

 

mj

EOFF

Perdita di Commutazione di Spegnimento

 

1451

 

mj

- Cies

Capacità di ingresso

 

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

 

317

 

NF

Coes

Capacità di uscita

 

13.2

 

NF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

10.5

 

NF

 

sc sc

 

Dati SC

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC=1000V, VCEM ≤1700V

 

 

14000

 

 

a)

LCE

Induttanza di deflusso

 

 

10

 

- Non lo so.

RCC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

 

 

0.12

 

elettrico caratteristiche di Diodo tc= 25°C a meno che altrimenti nota

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If=3600A

tj= 25°C

 

1.80

2.20

v

tj= 125°C

 

1.90

2.30

Qr

Importo recuperato

 

If=3600A,

vr= 900V,

rGon=0.4Ω,

vGE= 15V

tj= 25°C

 

836

 

μC

tj= 125°C

 

1451

 

IRM

Ritorno al recupero corrente

tj= 25°C

 

2800

 

a)

tj= 125°C

 

3300

 

eRicerca

Ritorno al recupero energia

tj= 25°C

 

590

 

mj

tj= 125°C

 

1051

 

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