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di potenza superiore a 600 V

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GD300HFL170C6S

Modulo IGBT,1700A 300A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD300HFL170C6S
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • Bassa tecnologia VCE(sat) SPT+ IGBT
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

 

tipica Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • alimentazione ininterrotta

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Igbt

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc= 100oc

490

300

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

600

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ T = 175oc

2027

- Sì

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

300

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

600

a)

 

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

 

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

vCE (sat)

 

 

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic=300A,VGE= 15V, tj= 25oc

 

2.40

2.85

 

 

v

Ic=300A,VGE= 15V, tj= 125oc

 

2.80

 

Ic=300A,VGE= 15V, tj= 150oc

 

2.90

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 12.0mA,V- -=VGE, tj= 25oc

5.4

6.2

7.4

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

 

 

1.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

 

 

400

- No

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

 

20.3

 

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

0.69

 

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

 

2.31

 

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc=900V,Ic=300A,- Non lo so.rg=4.7Ω,

vGE=± 15V, tj= 25oc

 

200

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

97

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

410

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

370

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

82.0

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

60.0

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc=900V,Ic=300A,- Non lo so.rg=4.7Ω,

vGE=± 15V, tj= 125oc

 

250

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

99

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

630

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

580

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

115

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

90.0

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc=900V,Ic=300A,- Non lo so.rg=4.7Ω,

vGE=± 15V, tj= 150oc

 

260

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

105

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

670

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

640

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

125

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

100

 

mj

 

Isc

 

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150oC,V- Cc= 1000V,laCEM≤1700V

 

 

1200

 

 

a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If=300A,VGE=0V,Tj= 25oc

 

1.80

2.25

 

v

If=300A,VGE=0V,Tj= 125oc

 

1.95

 

If=300A,VGE=0V,Tj= 150oc

 

1.90

 

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 25oc

 

90.0

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

270

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

45.0

 

mj

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 125oc

 

135

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

315

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

75.5

 

mj

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 150oc

 

160

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

330

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

84.0

 

mj

 

 

 

NTC caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

r25

Resistenza Nominale

 

 

5.0

 

∆R/R

Deviazione di r100

tc= 100oC,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

p25

dissipazione di potenza

 

 

 

20.0

m

b25/50

Valore B

r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

 

3375

 

k

 

 

modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

20

 

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip

 

1.10

 

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Connessione con il caso (per D)iodio)

 

 

0.074

0.121

C/W

rθcss

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (per diodo)

 

0.029

0.047

 

C/W

rθcss

Cassa-sink

 

0.009

 

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine

3.0

3.0

 

6.0

6.0

n.m.

g

peso- Non lo so.modulo

 

350

 

g

 

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