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di potenza superiore a 600 V

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GD300HFL170C2S

Modulo IGBT,1700V 300A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD300HFL170C2S
  • Introduzione
Introduzione

caratteristiche

  • Bassa tecnologia VCE(sat) SPT+ IGBT
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

tipica Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • alimentazione ininterrotta

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Igbt

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc=90oc

430

300

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

600

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ T = 175oc

1851

- Sì

Diodo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

300

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

600

a)

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

Tensione di isolamento  RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

 

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

vCE (sat)

 

 

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic=300A,VGE= 15V, tj= 25oc

 

2.40

2.85

 

 

v

Ic=300A,VGE= 15V, tj= 125oc

 

2.80

 

Ic=300A,VGE= 15V, tj= 150oc

 

2.90

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 12.0mA,V- -=VGE, tj= 25oc

5.4

6.2

7.4

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

 

 

1.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

 

 

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

 

 

2.3

 

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

 

20.0

 

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

0.72

 

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

 

1.8

 

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc=900V,Ic=300A,- Non lo so.rg=4.7Ω,

vGE=± 15V, tj= 25oc

 

464

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

157

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

421

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

290

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

108

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

55.2

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc=900V,Ic=300A,- Non lo so.rg=4.7Ω,

vGE=± 15V, tj= 125oc

 

483

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

161

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

465

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

538

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

128

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

83.7

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc=900V,Ic=300A,- Non lo so.rg=4.7Ω,

vGE=± 15V, tj= 150oc

 

492

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

165

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

483

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

747

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

141

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

92.1

 

mj

 

Isc

 

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150oC,V- Cc= 1000V,laCEM≤1700V

 

 

960

 

 

a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If=300A,VGE=0V,Tj= 25oc

 

1.80

2.25

 

v

If=300A,VGE=0V,Tj= 125oc

 

1.95

 

If=300A,VGE=0V,Tj= 150oc

 

1.90

 

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 25oc

 

70

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

209

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

40.7

 

mj

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 125oc

 

108

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

238

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

65.1

 

mj

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 150oc

 

123

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

253

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

71.6

 

mj

 

 

 

modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

15

 

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip

 

0.25

 

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Giunzione-a-Cassa (per Diodo)

 

 

0.081

0.138

C/W

 

rthCH

Cassa-sink (perIGBT)

Caso-a-Radiatore (per Diode)

Caso-a-Radiatore (per Modulo)

 

0.032

0.054

0.010

 

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

peso di modulo

 

300

 

g

 

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