1200 V

Il simbolo

Descrizione

GD1200SGL120C3S

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

±20

v

Ic

Corrente del collettore

@ Tc= 25°C

@ Tc= 100°C

1900

a)

1200

Icm(1)

Corrente del collettore pulsato tp= 1 millisecondo

2400

a)

If

Diodo di corrente continua in avanti

1200

a)

IFm

Diodo Cur massima in avantiaffitto

2400

a)

pd

Dissipazione massima di potenza    @ Tj= 175°C

8823

- Sì

tsc

Cortocircuito resistenza al tempo @ Tj= 125°C

10

μs

tj

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

°C

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

°C

I2Valore t, diodo

vr=0V, t=10ms, Tj= 125°C

300

ca2s

viso

Il tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

montamento

coppia

Terminale di alimentazione Vite:M4

Vite del Terminale di Potenza:M8

1.7 a 2.3

8.0 a 10

n.m.

montamento Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

4.25 a 5.75

n.m.

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

bv CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tj= 25°C

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello

corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C

800

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE(- La)

Limita di emissione della porta

tensione

Ic=48,0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì.tj= 25°C

5.0

6.5

7.0

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 1200A,VGE= 15V, tj= 25°C

1.9

v

Ic= 1200A,VGE= 15V, tj= 125°C

2.1

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rGint

Resistore Interno del Gate

tj= 25°C

1.2

Oh

QGE

Importo della porta

Ic= 1200A,V- -= 600V, vGE- Sì. 15…+15V

12.5

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 1200A,

rg=0.82Ω,VGE = ±15 V, tj= 25°C

790

NS

tr

Tempo di risalita

170

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

1350

NS

tf

Tempo di caduta

180

NS

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 1200A,

rg=0.82Ω,VGE =±15 v, 

tj= 125°C

850

NS

tr

Tempo di risalita

170

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

1500

NS

tf

Tempo di caduta

220

NS

esu

Accendere Perdite di cambio

155

mj

espento

Perdita di Commutazione di Spegnimento

190

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

92.0

NF

c- Non

Capacità di uscita

8.40

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

6.10

NF

Isc

Dati SC

tsc≤10 μs,VGE= 15V,  tj= 125°C- Sì.

v- Cc= 900V, vCEM≤1200 V

7000

a)

- Io...- -

Induttanza di deflusso

15

- Non lo so.

r- Cc+EE '

Resistenza di contatto del moduloe, Terminal a chip

tc= 25°C, per interruttore

0.10

mOh

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 1200a

tj= 25°C

1.9

v

tj= 125°C

2.1

Qr

Diodo inverso

tassa di recupero

If= 1200A,

vr= 600V,

di/dt=-6800A/μs, vGE- Sì. 15 V

tj= 25°C

110

μC

tj= 125°C

220

IRM

Pico di diodo

Ritorno al recupero corrente

tj= 25°C

760

a)

tj= 125°C

990

eRicerca

Ritorno al recupero energia

tj= 25°C

47

mj

tj= 125°C

82

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocitàModulo r)

0.017

C/W

rθJC

Fabbricazione di dispositivi di controllo della qualità(le)

0.025

C/W

rθcss

Cassa-sink

(Grasso conduttivo applicato, permodulo)

0.006

C/W

peso

peso di modulo

1500

g