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Modulo IGBT，1200V 1000A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tf= 25oc a meno che altrimenti nota
Igbt
|
Il simbolo |
Descrizione |
valori |
unità |
|
vCES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
v |
|
vGES |
Tensione del portatore-emittente |
± 20 |
v |
|
ICN |
Collettore Cu implementatoRenta |
1000 |
a) |
|
Ic |
Corrente del collettore @ Tf=75oc |
765 |
a) |
|
Icm |
Corrente del collettore pulsato tp=1 ms |
2000 |
a) |
|
pd |
Massima dissipazione di potenza- di @tf=75oc- Sì.tj= 175oc |
1515 |
- Sì |
Diodo
|
Il simbolo |
Descrizione |
valori |
unità |
|
vRRM |
Volt inverso di picco ripetitivoetà |
1200 |
v |
|
IFn |
Collettore Cu implementatoRenta |
1000 |
a) |
|
If |
Diode Corrente continua in avanti CuRenta |
765 |
a) |
|
IFm |
Corrente di diodo massima tp=1 ms |
2000 |
a) |
|
IFSM |
Corrente di picco in avanti tp= 10ms @tj= 25oc- Non lo so.@Tj=150C |
4100 3000 |
a) |
|
I2t |
I2Valore t, tp=10ms@Tj=25C- Non lo so.@Tj=150C |
84000 45000 |
a)2s |
modulo
|
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
|
tjmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
oc |
|
t- Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +150 |
oc |
|
tSTG |
intervallo di temperatura di conservazione |
-40 a +125 |
oc |
|
viso |
Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
v |
Igbt caratteristiche tf= 25oc a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
vCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
Ic=1000A,VGE= 15V, tj= 25oc |
|
1.45 |
1.90 |
v |
|
Ic=1000A,VGE= 15V, tj= 125oc |
|
1.65 |
|
|||
|
Ic=1000A,VGE= 15V, tj= 175oc |
|
1.80 |
|
|||
|
vGE(- La) |
Limita di emissione della porta tensione |
Ic= 24,0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25oc |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
v |
|
ICES |
Collettore tagliato- Non lo so.spentocorrente |
v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tj= 25oc |
|
|
1.0 |
- Mamma! |
|
IGES |
Perforazione del portello corrente |
vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc |
|
|
400 |
- No |
|
rGint |
Resistenza al cancello internoatteggiamento |
|
|
0.5 |
|
Oh |
|
c- Non |
Capacità di ingresso |
v- -= 25V, f=100 kHz, vGE=0V |
|
51.5 |
|
NF |
|
cres |
Trasferimento inverso Capacità |
|
0.36 |
|
NF |
|
|
Qg |
Importo della porta |
vGE=-15...+15V |
|
13.6 |
|
μC |
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 900A,- Non lo so.rg= 0,51Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V, tj= 25oc |
|
330 |
|
NS |
|
tr |
Tempo di risalita |
|
140 |
|
NS |
|
|
td ((off) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
842 |
|
NS |
|
|
tf |
Tempo di caduta |
|
84 |
|
NS |
|
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
144 |
|
mj |
|
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
87.8 |
|
mj |
|
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 900A,- Non lo so.rg= 0,51Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V, tj= 125oc |
|
373 |
|
NS |
|
tr |
Tempo di risalita |
|
155 |
|
NS |
|
|
td ((off) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
915 |
|
NS |
|
|
tf |
Tempo di caduta |
|
135 |
|
NS |
|
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
186 |
|
mj |
|
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
104 |
|
mj |
|
|
td(su) |
Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 900A,- Non lo so.rg= 0,51Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V, tj= 175oc |
|
390 |
|
NS |
|
tr |
Tempo di risalita |
|
172 |
|
NS |
|
|
td ((off) |
Disattivamento tempo di ritardo |
|
950 |
|
NS |
|
|
tf |
Tempo di caduta |
|
162 |
|
NS |
|
|
esu |
Accendere di passaggio perdita |
|
209 |
|
mj |
|
|
espento |
Sconto di accensione perdita |
|
114 |
|
mj |
|
|
Isc |
Dati SC |
tp≤8μs,vGE= 15V, tj= 150oC,V- Cc= 800V, vCEM ≤1200 V |
|
3200 |
|
a) |
|
tp≤6μs,vGE= 15V, tj= 175oC,V- Cc= 800V, vCEM ≤1200 V |
|
3000 |
|
a) |
Diodo caratteristiche tf= 25oc a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
vf |
Diodo di avanzamento tensione |
If=1000A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.60 |
2.05 |
v |
|
If=1000A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.70 |
|
|||
|
If=1000A,VGE=0V,Tj= 175oc |
|
1.60 |
|
|||
|
Qr |
Importo recuperato |
vr= 600V,If= 900A, - di/dt=4930A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tj= 25oc |
|
91.0 |
|
μC |
|
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
441 |
|
a) |
|
|
eRicerca |
Ritorno al recupero energia |
|
26.3 |
|
mj |
|
|
Qr |
Importo recuperato |
vr= 600V,If= 900A, - di/dt=4440A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tj= 125oc |
|
141 |
|
μC |
|
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
493 |
|
a) |
|
|
eRicerca |
Ritorno al recupero energia |
|
42.5 |
|
mj |
|
|
Qr |
Importo recuperato |
vr= 600V,If= 900A, - di/dt=4160A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tj= 175oc |
|
174 |
|
μC |
|
IRM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
536 |
|
a) |
|
|
eRicerca |
Ritorno al recupero energia |
|
52.4 |
|
mj |
NTC caratteristiche tf= 25oc a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
r25 |
Resistenza Nominale |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
|
∆R/R |
Deviazione di r100 |
tc= 100 oc,R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
|
p25 |
potenza dissolvimento |
|
|
|
20.0 |
m |
|
b25/50 |
Valore B |
r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
k |
|
b25/80 |
Valore B |
r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
k |
|
b25/100 |
Valore B |
r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
k |
modulo caratteristiche tf= 25oc a meno che altrimenti nota
|
Il simbolo |
parametro |
Min. |
Tipo. |
- Max. - Cosa? |
unità |
|
- Io...- - |
Induttanza di deflusso |
|
20 |
|
- Non lo so. |
|
rCC+EE |
Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip |
|
0.80 |
|
mΩ |
|
rthJF |
Giunti- Non lo so.a- Non lo so.raffreddamento Fluid(perIGBT) Giunto-a-fluidi di raffreddamento (per Diodo) △V/△t=10.0dm3- Sì.Min- Sì.tf=75oc |
|
|
0.066 0.092 |
C/W |
|
m |
Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio Vattone M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
n.m. |
|
g |
peso di modulo |
|
400 |
|
g |
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