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IGBT discreto

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DG120X07T2

IGBT discreto,1200V,120A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
DG120X07T2
  • Introduzione
Introduzione

Promemoria- Non è vero.fo ulteriori IGBT discreti, si prega di inviare un'email.

caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • Basse perdite di commutazione
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Pacchetto senza piombo

tipica Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • alimentazione ininterrotta

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota 

Igbt

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

650

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oC   @ Tc=135oc

240

120

a)

Icm

pulsato Collettore corrente- Non lo so.tp limitato da tjmax

360

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc

893

- Sì

Diodo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Volt inverso di picco ripetitivoetà

650

v

If

Corrente Continua Inversa del Diode   @ Tc= 25oc @ Tc= 80oc

177

120

a)

IFm

Diodo massimo In avanti corrente- Non lo so.tp limitato da tjmax

360

a)

Discreto

 

Il simbolo

Descrizione

valori

unità

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

oc

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-55 a +150

oc

ts

Temperatura di Saldatura,1.6mm from case for 10s

260

oc

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

vCE (sat)

 

 

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Ic=120A,VGE= 15V, tj= 25oc

 

1.40

1.85

 

 

v

Ic=120A,VGE= 15V, tj= 150oc

 

1.70

 

Ic=120A,VGE= 15V, tj= 175oc

 

1.75

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic=1.92- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25oc

5.1

5.8

6.5

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spentocorrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tj= 25oc

 

 

250

- U

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

 

 

200

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

 

 

- Sì.

 

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=100 kHz, vGE=0V

 

14.1

 

NF

cres

Trasferimento inverso Capacità

 

0.42

 

NF

Qg

Importo della porta

vGE=-15 ...+15V

 

0.86

 

uC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 300V,Ic=120A,- Non lo so.rg=7.5Ω,

vGE=± 15V, - Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tj= 25oc

 

68

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

201

 

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

 

166

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

54

 

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

 

7.19

 

mj

espento

Sconto di accensione perdita

 

2.56

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 300V,Ic=120A,- Non lo so.rg=7.5Ω,

vGE=± 15V, - Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tj= 150oc

 

70

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

207

 

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

 

186

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

106

 

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

 

7.70

 

mj

espento

Sconto di accensione perdita

 

2.89

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 300V,Ic=120A,- Non lo so.rg=7.5Ω,

vGE=± 15V, - Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tj= 175oc

 

71

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

211

 

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

 

195

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

139

 

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

 

7.80

 

mj

espento

Sconto di accensione perdita

 

2.98

 

mj

 

Isc

 

Dati SC

tp≤6μs,vGE= 15V,

tj= 150 oC,V- Cc=300V,laCEM≤ 650 V

 

 

600

 

 

a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

vf

Diodo di avanzamento tensione

If=120A,VGE=0V,Tj= 25oc

 

1.65

2.10

 

v

If=120A,VGE=0V,Tj= 150oc

 

1.60

 

If=120A,VGE=0V,Tj= 175oc

 

1.60

 

tR

Diodo inverso- Non lo so.tempo di recupero

 

 

vr= 300V,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VGE= 15V - Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tj= 25oc

 

184

 

NS

Qr

Importo recuperato

 

1.65

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

17.2

 

a)

eRicerca

Ritorno al recupero energia

 

0.23

 

mj

tR

Diodo inverso- Non lo so.tempo di recupero

 

 

vr= 300V,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VGE= 15V - Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tj= 150oc

 

221

 

NS

Qr

Importo recuperato

 

3.24

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

23.1

 

a)

eRicerca

Ritorno al recupero energia

 

0.53

 

mj

tR

Diodo inverso- Non lo so.tempo di recupero

 

 

vr= 300V,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VGE= 15V - Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tj= 175oc

 

246

 

NS

Qr

Importo recuperato

 

3.98

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

26.8

 

a)

eRicerca

Ritorno al recupero energia

 

0.64

 

mj

 

 

Discreto caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)Connessione con il caso (per D)iodio)

 

 

0.168 0.369

C/W

rthJA

Giunzione-a-ambiente

 

40

 

C/W

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