Toutes les catégories

Module IGBT 1700V

Module IGBT 1700V

Page d'accueil / Produits / Module IGBT / Module IGBT 1700V

YMIF2400-17,Module IGBT,Module IGBT à haute courant,interrupteur unique,CRRC

1700V 2400A

Brand:
RCRC
Spu:
YMIF2400-17 / TIM2400ESM17-TSA000
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT,HIGBT haute courant Module, modules IGBT à interrupteur unique produits par CRRC. 1700V 2400A.

Paramètres Clés

V. Le groupeCES

1700 V. Le groupe

V. Le groupeCE (sat)

(Typ) 1.75 V. Le groupe

JeC

(max) 2400 Une

JeC ((RM)

(max) 4800 Une

Applications Typiques

  • Les moteurs de traction
  • Contrôleur de moteur
  • Intelligent Grille
  • élevé Fiabilité Invertisseur

Caractéristiques

  • AlSiC Base
  • AIN Substrats
  • élevé Thermique Cyclisme capacité
  • 10 μms Court CIRCUIT Résistez!
  • Faible V. Le groupeCE(assis) Appareil
  • élevé Actuel densité

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notation

Je ne peux pas.

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(valeur)

(Unité)

VCES

Voltage du collecteur-émetteur

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

V. Le groupe

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Le C

Courant collecteur-émetteur

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

Une

Je C ((PK)

Courant de collecteur de pointe

tp = 1ms

4800

Une

P max

Je suis désolé. dissipation de puissance du transistor

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

19.2

KW

Je ne

Diode I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

KA2s

Le visol

Voltage d'isolation par module

(Terminals communs à la plaque de base),

AC RMS,1 min, 50Hz

4000

V. Le groupe

Q PD

Décharge partielle par module

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

PC

Caractéristiques électriques

Tcase = 25 °C T case = 25°C sauf indication contraire

Je ne peux pas.

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(Min)

(type)

(max)

(Unité)

I CES

Courant de coupure du collecteur

V GE = 0V, VCE = VCES

1

Le nombre de

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C

40

Le nombre de

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C

60

Le nombre de

I GES

Courant de fuite de grille

V GE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

V GE (TH)

Tension de seuil de porte

I C = 80mA, V GE = VCE

5.0

6.0

7.0

V. Le groupe

VCE (sat)(*1)

Saturation collecteur-émetteur

tension

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

V. Le groupe

I F

Courant direct de la diode

CC

2400

Une

I FRM

Le diode est équipé d'un système de décharge de courant

t P = 1ms

4800

Une

VF(*1)

Tension Directe de Diode

IF = 2400A

1.65

V. Le groupe

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

V. Le groupe

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

V. Le groupe

Les

Capacité d'entrée

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

NF

Le siège

Charge de la porte

±15V

19

Le taux de décharge

Des produits

Capacité de transfert inverse

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

NF

L M

Inductance du module

10

NH

R INT

Résistance interne du transistor

110

μΩ

I SC

Courant de court-circuit, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

Une

Le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

N.S.

t f

Temps d'automne

500

N.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

1050

Je suis désolé.

Le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

450

N.S.

le

Il est temps de monter.

210

N.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

410

Je suis désolé.

Je suis désolé.

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

Le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

1000

Une

Érec

Énergie de récupération inverse de la diode

320

Je suis désolé.

Le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

N.S.

t f

Temps d'automne

510

N.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

1320

Je suis désolé.

Le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

450

N.S.

le

Il est temps de monter.

220

N.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

660

Je suis désolé.

Je suis désolé.

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

Le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

1200

Une

Érec

Énergie de récupération inverse de la diode

550

Je suis désolé.

Le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

N.S.

t f

Temps d'automne

510

N.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

1400

Je suis désolé.

Le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

450

N.S.

le

Il est temps de monter.

220

N.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

820

Je suis désolé.

Je suis désolé.

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

Le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

1250

Une

Érec

Énergie de récupération inverse de la diode

620

Je suis désolé.

Le schéma

image(ec9098f8d8).png

Obtenez un devis gratuit

Notre représentant vous contactera bientôt.
Email
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

PRODUIT LIÉ

Vous avez des questions sur les produits?

Notre équipe de vente professionnelle attend votre consultation.
Vous pouvez suivre leur liste de produits et poser toutes les questions qui vous intéressent.

Obtenez un devis

Obtenez un devis gratuit

Notre représentant vous contactera bientôt.
Email
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000