YMIF2400-17,Module IGBT,Module IGBT à haute courant,interrupteur unique,CRRC

je ne peux pas.

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(valeur)

(Unité)

VCES

Voltage du collecteur-émetteur

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

V. Le groupe

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Le C

Courant collecteur-émetteur

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

Une

Je C ((PK)

Courant de collecteur de pointe

tp = 1ms

4800

Une

P max

Je suis désolé. dissipation de puissance du transistor

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

19.2

kW

Je ne

Diode I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Le visol

Voltage d'isolation par module

(Terminals communs à la plaque de base),

AC RMS,1 min, 50Hz

4000

V. Le groupe

Q PD

Décharge partielle par module

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

pC

Tcase = 25 °C T case = 25°C sauf indication contraire

je ne peux pas.

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(Min)

(type)

(max)

(Unité)

I CES

Courant de coupure du collecteur

V GE = 0V, VCE = VCES

1

le nombre de

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C

40

le nombre de

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C

60

le nombre de

I GES

Courant de fuite de grille

V GE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

V GE (TH)

Tension de seuil de porte

I C = 80mA, V GE = VCE

5.0

6.0

7.0

V. Le groupe

VCE (sat)(*1)

Saturation collecteur-émetteur

tension

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

V. Le groupe

I F

Courant direct de la diode

CC

2400

Une

I FRM

Le diode est équipé d'un système de décharge de courant

t P = 1ms

4800

Une

VF(*1)

Tension Directe de Diode

IF = 2400A

1.65

V. Le groupe

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

V. Le groupe

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

V. Le groupe

Les

Capacité d'entrée

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

nF

Le siège

Charge de la porte

±15V

19

le taux de décharge

Des produits

Capacité de transfert inverse

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

nF

L M

Inductance du module

10

nH

R INT

Résistance interne du transistor

110

μΩ

I SC

Courant de court-circuit, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

Une

le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

n.S.

t f

Temps d'automne

500

n.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

1050

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

450

n.S.

le

Il est temps de monter.

210

n.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

410

je suis désolé.

Je suis désolé.

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

1000

Une

Érec

Énergie de récupération inverse de la diode

320

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

n.S.

t f

Temps d'automne

510

n.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

1320

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

450

n.S.

le

Il est temps de monter.

220

n.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

660

je suis désolé.

Je suis désolé.

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

1200

Une

Érec

Énergie de récupération inverse de la diode

550

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

n.S.

t f

Temps d'automne

510

n.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

1400

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

450

n.S.

le

Il est temps de monter.

220

n.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

820

je suis désolé.

Je suis désolé.

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

1250

Une

Érec

Énergie de récupération inverse de la diode

620

je suis désolé.