Modules de diode, MDx600-08-417F2, MDx600-10-417F2, MDx600-12-417F2, MDx600-14-417F2, MDx600-16-417F2, MDx600-18-417F2
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CARACTÉRISTIQUES
Applications Typiques
VRSM |
RRVM |
Type & Contour |
900V |
800V |
MDx600-08-417F2 |
1100V |
1000V |
MDx600-10-417F2 |
1300V |
Les autres |
MDx600-12-417F2 |
1500V |
1400V |
MDx600-14-417F2 |
Unité de régulation |
1600V |
MDx600-16-417F2 |
1900V |
1800V |
MDx600-18-417F2 |
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj( ℃ ) |
valeur |
unité |
||
min |
Type |
max |
|||||
IF(AV) |
Courant direct moyen |
180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi par un seul côté, TC=100 ℃ |
150 |
|
|
600 |
Une |
IF (RMS) |
Courant direct RMS |
150 |
|
|
942 |
Une |
|
RSI |
Courant de crête répétitif |
à VRRM |
150 |
|
|
30 |
Le nombre de |
MFI |
Courant de surtension avant |
10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM |
150 |
|
|
19.0 |
kA |
Je 2t |
Je 2t pour la coordination de fusion |
|
|
1805 |
Une 2s*10 3 |
||
VFO |
Voltage de seuil |
|
150 |
|
|
0.75 |
V. Le groupe |
rF |
Résistance de pente directe |
|
|
0.35 |
mΩ |
||
VFM |
Tension directe de crête |
IFM=1500A |
25 |
|
|
1.35 |
V. Le groupe |
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
À 180 ° sinusoïdal ,Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.065 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
À 180 ° sinusoïdal ,Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.024 |
℃ /W |
VISO |
Tension d'isolement |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
|
3000 |
|
|
V. Le groupe |
FM |
Couple de connexion des bornes (M10) |
|
|
|
12.0 |
|
N m |
Couple de montage (M6) |
|
|
|
6.0 |
|
N m |
|
t vj |
température de jonction |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Poids |
|
|
|
775 |
|
g |
Le schéma |
417F2 |
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