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Caractéristiques :
Applications Typiques
V. Le groupe RSM |
V. Le groupe RRM |
Type & Contour |
900V |
800V |
MDx160-08-229H3 |
1100V |
1000V |
MDx160-10-229H3 |
1300V |
les autres |
MDx160-12-229H3 |
1500V |
1400V |
MDx160-14-229H3 |
unité de régulation |
1600V |
MDx160-16-229H3 |
1900V |
1800V |
MDx160-18-229H3 |
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj( ° C) |
Valeur |
Unité |
||
Min |
Type |
Max |
|||||
IF(AV) |
Courant direct moyen |
180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi par un seul côté, TC=100 ° C |
150 |
|
|
160 |
Une |
IF(RMS) |
Courant direct RMS |
|
|
251 |
Une |
||
RSI |
Courant de crête répétitif |
à VRRM |
150 |
|
|
12 |
le nombre de |
MFI |
Courant de surtension avant |
10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM |
150 |
|
|
4 |
kA |
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
80 |
A2s*103 |
||
VFO |
Voltage de seuil |
|
150 |
|
|
0.85 |
V. Le groupe |
rF |
Résistance de pente directe |
|
|
1.25 |
m ω |
||
VFM |
Tension directe de crête |
IFM=480A |
25 |
|
|
1.50 |
V. Le groupe |
Rth(j-c) |
Résistance thermique Jonction à boîtier |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.20 |
C /W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.08 |
C /W |
VISO |
Tension d'isolement |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
|
3000 |
|
|
V. Le groupe |
FM |
Couple de connexion des bornes (M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N ·m |
Couple de montage (M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N ·m |
|
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
125 |
° C |
Wt |
Poids |
|
|
|
165 |
|
g |
Le schéma |
229H3 |
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