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Je T(AV) |
9200Une |
V. Le groupe DRM ,V RRM |
200V 400V |
CARACTÉRISTIQUES
Applications Typiques
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj( ℃ ) |
valeur |
unité |
||
min |
Type |
max |
|||||
IF(AV) |
Courant direct moyen |
180° demi-onde sinusoïdale de 50 Hz Refroidissement des deux côtés, TC=85 。C |
175 |
|
|
9200 |
Une |
RRVM |
Voltage inverse de pointe répétitif |
tp = 10 ms |
175 |
200 |
|
400 |
V. Le groupe |
RSI |
Courant de crête répétitif |
à VRRM |
175 |
|
|
50 |
Le nombre de |
MFI |
Courant de surtension avant |
10 ms demi-onde sinusoïdale VR=0VRRM |
175 |
|
|
60 |
kA |
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
17049 |
103A2s |
||
VFO |
Voltage de seuil |
Les données sont fournies par le système de mesure. |
175 |
|
|
0.78 |
V. Le groupe |
rF |
Résistance à la pente avant |
|
|
0.031 |
mΩ |
||
VFM |
Voltage maximal en état de marche |
Le nombre de points de contact est le suivant: |
25 |
|
|
1.00 |
V. Le groupe |
Je suis désolé. |
Frais de recouvrement |
Les capacités de décharge sont calculées en fonction des niveaux de tension de l'appareil. |
175 |
|
|
300 |
µC |
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
À 1800 sinus, double côté refroidi |
|
|
|
0.006 |
。C/W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur |
|
|
|
0.003 |
||
FM |
Force de montage |
|
|
30 |
|
50 |
kN |
Tvj |
température de jonction |
|
|
-40 |
|
175 |
。C |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
175 |
。C |
Wt |
Poids |
|
|
|
100 |
|
g |
Le schéma |
Z47T |
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