Module IGBT 1700V

YMIBD800-17,Module IGBT,Interrupteur double IGBT,CRRC

YMIBD800-17,Module IGBT,Interrupteur double IGBT,CRRC

1700V 800A

Brand:

RCRC

Spu:

YMIBD800-17 / TIM800DDM17-PSA011

Introduction
Le schéma

Introduction

Introduction brève

Module IGBT modules IGBT à interrupteur unique produits par CRRC. 1700V 1200A.

Clé Paramètres

V. Le groupe Le CES	1700		V. Le groupe
V. Le groupe CE (assis )	(type)	2.30	V. Le groupe
Je C	(max)	800	Une
Je C ((RM)	(max)	1600	Une

Typique APPLICATIONS

Les moteurs de traction
Contrôleur de moteur
Vent Puissance
Élevé Fiabilité Invertisseur

Caractéristiques

AlSiC Base
AIN Substrats
Élevé Thermique Cyclisme Capacité
10 μm s Court CIRCUIT Résistez!
Faible V. Le groupe cE (assis ) appareil
Élevé actuel densité

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notation

je ne peux pas.	(Paramètre)	(conditions d'essai)	(valeur)	(Unité)
VCES	Voltage du collecteur-émetteur	Les données sont fournies par le système de mesure. 。C	1700	V. Le groupe
V GES	Voltage de l'émetteur de la porte	TC = 25 。C	± 20	V. Le groupe
Le C	Courant collecteur-émetteur	TC = 80 。C	800	Une
Je C ((PK)	Courant de collecteur de pointe	t P=1ms	1600	Une
P max	Dissipation de puissance maximale du transistor	Tvj = 150 。C, TC = 25 。C	6.94	kW
Je ne	Diode I 2t	Pour les appareils de type V, la valeur de la tension maximale est de 0,01 V. 。C	120	kA2s
Le visol	Voltage d'isolation par module	(Terminals communs à la plaque de base), RMS AC, 1 min, 50 Hz, TC = 25 。C	4000	V. Le groupe
Q PD	Décharge partielle par module	- Je ne peux pas. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50 Hz RMS, TC = 25 。C	10	pC

Caractéristiques électriques

(Le symbole )	(Paramètre )	(conditions d'essai)	(Min )	(Typ )	(Max )	(Unité )
I CES	Courant de coupure du collecteur	V GE = 0V,VCE = VCES			1	le nombre de
I CES	Courant de coupure du collecteur	V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C			25	le nombre de
I GES	Courant de fuite de grille	V GE = ±20V, VCE = 0V			4	μA
V GE (TH)	Tension de seuil de porte	I C = 40mA, V GE = VCE	5.00	5.70	6.50	V. Le groupe
VCE (sat)(*1)	Voltage de saturation du collecteur-émetteur	V GE =15V, I C = 800A		2.30	2.60	V. Le groupe
VCE (sat)(*1)	Voltage de saturation du collecteur-émetteur	V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C		2.80	3.10	V. Le groupe
I F	Courant direct de la diode	dC CC			800	Une
I FRM	Le diode est équipé d'un système de décharge de courant	t P = 1ms			1600	Une
VF(*1)	Tension Directe de Diode	I F = 800A		1.70	2.00	V. Le groupe
VF(*1)	Tension Directe de Diode	I F = 800A, Tvj = 125 ° C		1.80	2.10	V. Le groupe
C ies	Capacité d'entrée	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz		60		nF
Q g	Charge de la porte	±15V		9		le taux de décharge
C res	Capacité de transfert inverse	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz		-		nF
L M	Inductance du module			20		nH
R INT	Résistance interne du transistor			270		μΩ
I SC	Courant de court-circuit, ISC	Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3700		Une
le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		890		n.S.
t f	Temps d'automne			220		n.S.
E OFF	Perte d'énergie à l'arrêt			220		je suis désolé.
le numéro de téléphone	Temps de retard d'activation			320		n.S.
t r	Il est temps de monter.			190		n.S.
Eon	Perte d'énergie à l'activation			160		je suis désolé.
Q rr	Charge de récupération inverse de la diode	I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us		260		le taux de décharge
I rr	Courant de récupération inverse de la diode			510		Une
E rec	Énergie de récupération inverse de la diode			180		je suis désolé.
le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		980		n.S.
t f	Temps d'automne			280		n.S.
E OFF	Perte d'énergie à l'arrêt			290		je suis désolé.
le numéro de téléphone	Temps de retard d'activation			400		n.S.
t r	Il est temps de monter.			250		n.S.
Eon	Perte d'énergie à l'activation			230		je suis désolé.
Q rr	Charge de récupération inverse de la diode	I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us		420		le taux de décharge
I rr	Courant de récupération inverse de la diode			580		Une
E rec	Énergie de récupération inverse de la diode			280		je suis désolé.