YMIBD500-33, Module IGBT, Interrupteur Double IGBT, CRRC

Module IGBT 3300V

YMIBD500-33,Module IGBT,IGBT à double interrupteur,CRRC

YMIBD500-33,Module IGBT,IGBT à double interrupteur,CRRC

3300V 500A

Brand:

RCRC

Spu:

Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Introduction
Le schéma

Introduction

Introduction brève

Module IGBT,IGBT haute tension, module IGBT Double Switch, produit par CRRC. 3300V 500A.

Paramètres Clés

VCES	3300 V. Le groupe
VCE (sat)	(type) 2.40 V. Le groupe
IC	(max) 500 Une
IC ((RM)	(max) 1000 Une

Applications Typiques

Les moteurs de traction
Contrôleur de moteur
Intelligent Grille
élevé Fiabilité Invertisseur

Caractéristiques

Base de silicium
Substrats AIN
Capacité de cycle thermique élevée
10μs de résistance au court-circuit
Dispositif à faible VCE (sat)
Densité de courant élevée

- Je ne sais pas. Le montant maximal RAting

Je ne peux pas.	(Paramètre)	(conditions d'essai)	(valeur)	(Unité)
VCES	Voltage du collecteur-émetteur	V GE = 0V,Tvj = 25°C	3300	V. Le groupe
V GES	Voltage de l'émetteur de la porte		± 20	V. Le groupe
Le C	Courant collecteur-émetteur	T case = 100 °C, Tvj = 150 °C	500	Une
Je C ((PK)	Courant de collecteur de pointe	1ms, T case = 140 °C	1000	Une
P max	Dissipation de puissance maximale du transistor	Tvj = 150°C, T case = 25 °C	5.2	KW
Je ne	Diode I t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	80	KA2s
Le visol	Voltage d'isolation par module	Bornes communes à la plaque de base), AC RMS,1 min, 50Hz	6000	V. Le groupe
Q PD	Décharge partielle par module	- Je ne peux pas. Les données de la série de tests doivent être fournies à l'autorité compétente.	10	PC

ÉlectriqueLes caractéristiques

tCas = 25 °C t Cas = 25°C à moins déclaré Autrement
(Le symbole)	(Paramètre)	(conditions d'essai)	(min)	(Typ)	(max)	(unité)
Je Le CES	Courant de coupure du collecteur	V. Le groupe Généralement générés = 0V, V. Le groupeCE = V. Le groupeLe CES			1	Le nombre de
		V. Le groupe Généralement générés = 0V, V. Le groupeCE = V. Le groupeLe CES , t Cas = 125 °C			30	Le nombre de
		V. Le groupe Généralement générés = 0V, V. Le groupeCE =V. Le groupeLe CES , t Cas = 150 °C			50	Le nombre de
Je GES	Fuite de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = ± 20 V, V. Le groupeCE = 0V			1	μA
V. Le groupe Généralement générés (TJ)	Tension de seuil de porte	Je C = 40Le nombre de, V. Le groupe Généralement générés =V. Le groupeCE	5.50	6.10	7.00	V. Le groupe
V. Le groupeCE (assis)Le nombre de personnes	Saturation collecteur-émetteur tension	V. Le groupe Généralement générés = 15 V,Je C= 500A		2.40	2.90	V. Le groupe
		V. Le groupe Généralement générés = 15 V,Je C = 500A,tvj = 125 °C		2.95	3.40	V. Le groupe
		V. Le groupe Généralement générés = 15 V,Je C = 500A,tvj = 150 °C		3.10	3.60	V. Le groupe
Je F	Courant direct de la diode	CC		500		Une
Je MFN	Diode maximum vers l'avant Actuel	t P = 1 ms		1000		Une
V. Le groupeFLe nombre de personnes	Tension Directe de Diode	Je F = 500A		2.10	2.60	V. Le groupe
		Je F = 500A, tvj = 125 °C		2.25	2.70	V. Le groupe
		Je F = 500A, tvj = 150 °C		2.25	2.70	V. Le groupe
C- Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupeCE = 25V, V. Le groupe Généralement générés = 0V,F = 1MHz		90		NF
Q: Le numérog	Charge de la porte	±15V		9		Le taux de décharge
Crés	Capas de transfert inversecitation	V. Le groupeCE = 25V, V. Le groupe Généralement générés = 0V,F = 1MHz		2		NF
L M	Module Inductance			25		NH
r INT	Résistance interne du transistor			310		μΩ
Je SC	Court-circuit courant, JeSC	tvj = 150°C, V. Le groupe CC = 2500V, V. Le groupe Généralement générés ≤15 V,tP ≤10μs, V. Le groupeCE(max) = V. Le groupeLe CES –L Le nombre de personnes ×di/dt,IEC Les produits de base		1800		Une

Le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement	I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω	1720	N.S.
t f	Temps d'automne		520	N.S.
E OFF	Perte d'énergie à l'arrêt		780	Je suis désolé.
Le numéro de téléphone	Temps de retard d'activation		650	N.S.
le	Il est temps de monter.		260	N.S.
Eon	Perte d'énergie à l'activation		730	Je suis désolé.
Je suis désolé.	Charge de récupération inverse de la diode	I F = 500A VCE =1800V Le système de détection doit être conforme aux prescriptions de la présente annexe.	390	Le taux de décharge
I rr	Courant de récupération inverse de la diode		420	Une
Érec	Énergie de récupération inverse de la diode		480	Je suis désolé.

Je ne peux pas.	(Paramètre)	(conditions d'essai)	(Min)	(type)	(max)	(Unité)
Le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement	I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω		1860		N.S.
t f	Temps d'automne			550		N.S.
E OFF	Perte d'énergie à l'arrêt			900		Je suis désolé.
Le numéro de téléphone	Temps de retard d'activation			630		N.S.
le	Le temps augmenteIl est temps de monter.			280		N.S.
Eon	Perte d'énergie à l'activation			880		Je suis désolé.
Je suis désolé.	Charge de récupération inverse de la diode	I F = 500A VCE =1800V Le système de détection doit être conforme aux prescriptions de la présente annexe.		620		Le taux de décharge
I rr	Courant de récupération inverse de la diode			460		Une
Érec	Énergie de récupération inverse de la diode			760		Je suis désolé.

Je ne peux pas.	(Paramètre)	(conditions d'essai)	(Min)	(type)	(max)	(Unité)
Le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement	I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω		1920		N.S.
t f	Temps d'automne			560		N.S.
E OFF	Perte d'énergie à l'arrêt			1020		Je suis désolé.
Le numéro de téléphone	Temps de retard d'activation			620		N.S.
le	Il est temps de monter.			280		N.S.
Eon	Perte d'énergie à l'activation			930		Je suis désolé.
Je suis désolé.	Charge de récupération inverse de la diode	I F = 500A VCE =1800V Le système de détection doit être conforme aux prescriptions de la présente annexe.		720		Le taux de décharge
I rr	Courant de récupération inverse de la diode			490		Une
Érec	Énergie de récupération inverse de la diode			900		Je suis désolé.