Y89ZKD, Diode à récupération rapide

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj(℃)

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC=85℃

150

4000

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

2100

3000

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à V _RRM

150

300

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale VR=0.6V _RRM

150

44

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

9680

Une ²s*10 ³

VFO

Voltage de seuil

150

0.96

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.12

mΩ

VFM

Tension directe de crête

IFM=5000A, F=35kN

25

2.20

V. Le groupe

MRI

Courant de récupération inverse

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

150

350

Une

le

Temps de récupération inverse

12

μs

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

4300

Le taux de décharge

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

Refroidissement des deux côtés Force de serrage 40kN

0.007

°C/W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.002

FM

Force de montage

63

84

kN

Tvj

température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

1390

g

Le schéma

ZT84cT