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Je T(AV) |
4240Une |
V. Le groupe DRM |
1200V ~ 2000V |
V. Le groupe RRM |
1000V~ 1800V |
t Q: Le numéro |
15~80µs |
CARACTÉRISTIQUES
Applications Typiques
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj(℃ ) |
valeur |
unité |
||||
min |
Type |
max |
|||||||
Les États membres |
Courant moyen en état passant |
180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés, |
TC=55°C |
125 |
|
|
4240 |
Une |
|
VDRM |
Tension de seuil répétitive |
tp = 10 ms |
125 |
1200 |
|
2000 |
V. Le groupe |
||
RRVM |
Voltage inverse de pointe répétitif |
1000 |
|
1800 |
V. Le groupe |
||||
Idrm Irrm |
Courant de crête répétitif |
à VDRM à VRRM |
125 |
|
|
250 |
Le nombre de |
||
ITSM |
Courant de surtension en état passant |
10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
46 |
kA |
||
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
10580 |
A2s*103 |
||||
VTO |
Voltage de seuil |
|
125 |
|
|
1.14 |
V. Le groupe |
||
rT |
Résistance de pente en état passant |
|
|
0.10 |
mΩ |
||||
VTM |
Tension de pointe en état passant |
ITM=5000A, F=70kN |
15μs≤tq≤35µs |
25 |
|
|
2.50 |
V. Le groupe |
|
36μs≤tq≤60µs |
|
|
1.80 |
V. Le groupe |
|||||
61μs≤tq≤80µs |
|
|
1.60 |
V. Le groupe |
|||||
dv/dt |
Taux critique d'augmentation de la tension de seuil |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
||
di/dt |
Taux critique d'augmentation du courant d'état passant (Non répétitif) |
VDM = 67 % VDRM , to4000A Impulsion de porte tr ≤0.5μs IGM=1.5A |
125 |
|
|
1200 |
A/μs |
||
Je suis désolé. |
Frais de recouvrement |
ITM = 2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V |
125 |
|
2100 |
|
µC |
||
Tq |
Temps d'extinction commuté par circuit |
ITM=2000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs |
125 |
25 |
|
80 |
μs |
||
TIG |
Courant de déclenchement de porte |
VA=12V, IA=1A |
25 |
40 |
|
450 |
Le nombre de |
||
Vgt |
Tension de déclenchement de porte |
0.9 |
|
4.5 |
V. Le groupe |
||||
Je suis |
Courant de maintien |
20 |
|
1000 |
Le nombre de |
||||
IL |
Courant de verrouillage |
|
|
1000 |
Le nombre de |
||||
VGD |
Tension de porte non déclenchée |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V. Le groupe |
||
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
À 1800 sinusoïdal, refroidi des deux côtés Force de serrage 70 kN |
|
|
|
0.007 |
℃ /W |
||
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur |
|
|
|
0.002 |
||||
FM |
Force de montage |
|
|
63 |
|
84 |
kN |
||
Tvj |
température de jonction |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
||
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
||
Wt |
Poids |
|
|
|
1390 |
|
g |
||
Le schéma |
KT84cT |
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