Y76ZKG, diode de récupération rapide

Numéro de pièce Y76ZKG-ZT73cT

Brand:

TECHSEM

Spu:

76ZKG-ZT73cT

Appurtenance:

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Je _T(AV)

2175Une

V. Le groupe _RRM

4000V 4200V

4500V 5000V

CARACTÉRISTIQUES

Applications Typiques

Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai		Tj( ℃ )	valeur			unité
Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai		Tj( ℃ )	min	Type	max	unité
IF(AV)	Courant direct moyen	180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,	TC=85 ℃	150			2175	Une
RRVM	Voltage inverse de pointe répétitif	tp = 10 ms		150	4000		5000	V. Le groupe
RSI	Courant de crête répétitif	à V _RRM		150			240	Le nombre de
MFI	Courant de surtension avant	10ms onde sinusoïdale VR=0.6V _RRM		150			30	kA
I2t	I2t pour coordination de fusion	10ms onde sinusoïdale VR=0.6V _RRM		150			4500	Une ²s* 10 ³
VFO	Voltage de seuil			150			1.65	V. Le groupe
rF	Résistance de pente directe			150			0.25	mΩ
VFM	Tension directe de crête	Je _TM=3000A, F=40kN		25			3.00	V. Le groupe
MRI	Courant de récupération inverse	ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V		150		320		Une
le	Temps de récupération inverse					12		μs
Je suis désolé.	Frais de recouvrement					1900	2200	Le taux de décharge
Rth(j-c)	Résistance thermique jonction à boîtier	À 180 ° sinus, refroidi des deux côtés Force de serrage 40kN					0.010	℃ /W
Rth(c-h)	Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur						0.003	℃ /W
FM	Force de montage				35		47	kN
Tvj	température de jonction				-40		150	℃
TSTG	Température de stockage				-40		160	℃
Wt	Poids					1100		g
Le schéma	ZT73cT