Coupure rapide

Y76KFE,Thyristor à coupure rapide non symétrique

La partie n° 1. Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Brand:

TECHSEM

Spu:

Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Appurtenance:

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Introduction
Le schéma

Introduction

Je T(AV)	3415Une
V. Le groupe DRM	800V ~ 2000V
V. Le groupe RRM	1000V~ 1800V
t Q: Le numéro	15 à 75 μs

CARACTÉRISTIQUES

Excellentes caractéristiques dynamiques
Allumage rapide et haute di/dt
Faibles pertes de commutation

Applications Typiques

Conçu pour des applications d'alimentation par onduleur

Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai			Tj(℃ )	valeur			unité
Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai			Tj(℃ )	min	Type	max	unité
Les États membres	Courant moyen en état passant	180。onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,		TC=55°C	125			3415	Une
Les États membres	Courant moyen en état passant	180。onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,		TC=70°C	125			2870	Une
VDRM	Voltage de pointe répétitif hors état	tp = 10 ms			125	800		2000	V. Le groupe
RRVM	Voltage inverse de pointe répétitif	tp = 10 ms			125	1000		1800	V. Le groupe
Idrm Irrm	Courant de crête répétitif	Les données sont fournies par le système de gestion de la sécurité.			125			200	Le nombre de
ITSM	Courant de surtension en état passant	10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM			125			35.6	kA
I2t	I2t pour coordination de fusion	10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM			125			6337	A2s*103
VTO	Voltage de seuil				125			1.21	V. Le groupe
rT	Résistance à l'état de dérapage				125			0.10	mΩ
VTM	Tension de pointe en état passant	Les mesures de l'équipement doivent être prises en compte.	15≤q≤35		25			2.20	V. Le groupe
			36≤q≤50					2.00	V. Le groupe
			51≤q≤75					1.80	V. Le groupe
dv/dt	Taux critique d'augmentation de la tension de seuil	VDM=0.67VDRM			125			1000	V/μs
di/dt	Taux critique d'augmentation du courant en état actif	VDM = 67% de VDRM à 3000 A Impulsion de porte tr ≤0.5μs IGM=1.5A			125			1500	A/μs
Je suis désolé.	Frais de recouvrement	ITM = 2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V			125		1300		µC
Tq	Temps d'extinction commuté par circuit	ITM=2000A, tp=4000µs, VR =100V dv/dt=30V/µs,di/dt=-20A/µs			100	15		75	μs
TIG	Courant de déclenchement de porte	VA=12V, IA=1A			25	45		300	Le nombre de
Vgt	Tension de déclenchement de porte					0.9		4.5	V. Le groupe
Je suis	Courant de maintien					20		500	Le nombre de
IL	Courant de verrouillage							1000	Le nombre de
VGD	Tension de porte non déclenchée	VDM=67%VDRM			125			0.3	V. Le groupe
Rth(j-c)	Résistance thermique jonction à boîtier	À 180°sine, force de serrage double face refroidie 40kN						0.010	℃ /W
Rth(c-h)	Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur	À 180°sine, force de serrage double face refroidie 40kN						0.003	℃ /W
FM	Force de montage					35		47	kN
Tvj	température de jonction					-40		125	℃
TSTG	Température de stockage					-40		140	℃
Wt	Poids						1100/ 1460		g
Le schéma	KT73cT/ KT73dT