Y75ZPA-B, Diode de soudage sans boîtier

Je T(AV)

18000Une

V. Le groupe DRM ,V RRM

200V 400V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° demi-onde sinusoïdale de 50 Hz

Refroidi des deux côtés, TC=85 。C

175

18000

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

175

200

400

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

175

80

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10 ms demi-onde sinusoïdale VR=0VRRM

175

135

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

90000

A2s*103

VFO

Voltage de seuil

IFM=12000-24000A

175

0.75

V. Le groupe

rF

Résistance à la pente avant

0.017

mΩ

VFM

Voltage maximal en état de marche

Le nombre de points de contact est le suivant:

25

1.00

V. Le groupe

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

Les capacités de décharge sont calculées en fonction des niveaux de tension de l'appareil.

175

300

µC

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 1800 sinus, double côté refroidi

0.003

。C /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.0015

FM

Force de montage

70

80

90

kN

Tvj

température de jonction

-40

175

。C

TSTG

Température de stockage

-40

175

。C

Wt

Poids

540

g

Le schéma

Z68T