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Je T(AV) |
2500Une |
V. Le groupe DRM |
800V ~ 2000V |
V. Le groupe RRM |
1000V~ 1800V |
t Q: Le numéro |
15 à 75 μs |
CARACTÉRISTIQUES
Applications Typiques
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj(℃ ) |
valeur |
unité |
|||
min |
Type |
max |
||||||
Les États membres |
Courant moyen en état passant |
180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés |
TC=55 ℃ |
125 |
|
|
2500 |
Une |
VDRM |
Tension de seuil répétitive |
tp = 10 ms |
125 |
800 |
|
2000 |
V. Le groupe |
|
RRVM |
Voltage inverse de pointe répétitif |
1000 |
|
1800 |
V. Le groupe |
|||
Idrm Irrm |
Courant de crête répétitif |
à VDRM à VRRM |
125 |
|
|
200 |
Le nombre de |
|
ITSM |
Courant de surtension en état passant |
10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
29 |
kA |
|
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
4205 |
103A2s |
|||
VTO |
Voltage de seuil |
|
125 |
|
|
1.10 |
V. Le groupe |
|
rT |
Résistance de pente en état passant |
|
|
0.13 |
mΩ |
|||
VTM |
Tension de pointe en état passant |
ITM=4000A, F=32kN |
15≤tq≤28 |
25 |
|
|
2.20 |
V. Le groupe |
29≤tq≤50 |
|
|
2.00 |
V. Le groupe |
||||
51≤q≤75 |
|
|
1.80 |
V. Le groupe |
||||
dv/dt |
Taux critique d'augmentation de la tension de seuil |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
|
di/dt |
Taux critique d'augmentation du courant d'état passant (Non répétitif) |
VDM= 67%VDRM, Impulsion de porte tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
125 |
|
|
1500 |
A/μs |
|
Je suis désolé. |
Frais de recouvrement |
ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V |
125 |
|
750 |
|
Le taux de décharge |
|
Tq |
Temps d'extinction commuté par circuit |
ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs |
125 |
15 |
|
75 |
μs |
|
TIG |
Courant de déclenchement de porte |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
250 |
Le nombre de |
|
Vgt |
Tension de déclenchement de porte |
0.9 |
|
2.5 |
V. Le groupe |
|||
Je suis |
Courant de maintien |
20 |
|
1000 |
Le nombre de |
|||
IL |
Courant de verrouillage |
|
|
1000 |
Le nombre de |
|||
VGD |
Tension de porte non déclenchée |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V. Le groupe |
|
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
À 180 ° sinusoïdal, refroidi des deux côtés Force de serrage 32kN |
|
|
|
0.012 |
。C /W |
|
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
|
|
|
0.003 |
|||
FM |
Force de montage |
|
|
30 |
|
40 |
kN |
|
Tvj |
température de jonction |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
|
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
130 |
℃ |
|
Wt |
Poids |
|
|
|
880 |
|
g |
|
Le schéma |
KT60cT |
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