Y65ZPA-B, Diode de soudage sans boîtier

Je T(AV)

13500Une

V. Le groupe DRM ,V RRM

200V 400V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( 。C)

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180。demi-onde sinusoïdale de 50 Hz

Refroidissement des deux côtés, TC=85 。C

175

13500

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

175

200

400

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

175

75

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10 ms demi-onde sinusoïdale VR=0VRRM

175

85

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

36000

103A2s

VFO

Voltage de seuil

IFM=10000-30000A

175

0.76

V. Le groupe

rF

Résistance à la pente avant

0.021

mΩ

VFM

Voltage maximal en état de marche

Le nombre de points de contact est le suivant:

25

0.90

V. Le groupe

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

Les capacités de décharge sont calculées en fonction des niveaux de tension de l'appareil.

175

300

µC

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 1800 sinus, double côté refroidi

0.004

。C /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.002

FM

Force de montage

55

65

80

kN

Tvj

température de jonction

-40

175

。C

TSTG

Température de stockage

-40

175

。C

Wt

Poids

160

g

Le schéma

Z58T