Y60ZKD,diode de récupération rapide

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC=85 。C

150

1508

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

2100

3000

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

150

145

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

150

20

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

2000

A2s*103

VFO

Voltage de seuil

150

1.58

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.30

mΩ

VFM

Tension directe de crête

ITM=2000A, F=28kN

25

2.80

V. Le groupe

MRI

Courant de récupération inverse

Les capacités de décharge doivent être calculées en fonction des niveaux de tension de l'appareil.

150

200

Une

le

Temps de récupération inverse

8

μs

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

800

1010

µC

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinusoïdal, refroidi des deux côtés Force de serrage 28kN

0.016

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.004

FM

Force de montage

21

30

kN

Tvj

température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

640

g

Le schéma

ZT54cT