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Je T(AV) |
Les pièces de ce type |
V. Le groupe DRM ,V RRM |
1200V 1400V |
Tq |
12~28µs |
CARACTÉRISTIQUES
Applications Typiques
|
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj( 。C) |
valeur |
unité |
|||
min |
Type |
max |
||||||
|
Les États membres |
Courant moyen en état passant |
180。onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés, |
TC=55 。C |
125 |
|
|
1520 |
Une |
VDRM VRRM |
Tension de crête répétitive hors état Tension de crête répétitive inverse |
tp = 10 ms |
125 |
1100 |
|
1400 |
V. Le groupe |
|
Idrm Irrm |
Courant de pointe répétitif hors état Courant inverse de pointe répétitif |
à VDRM à VRRM |
125 |
|
|
100 |
Le nombre de |
|
ITSM |
Courant de surtension en état passant |
10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
18 |
kA |
|
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
1620 |
A2s*103 |
|||
VTO |
Voltage de seuil |
|
125 |
|
|
1.63 |
V. Le groupe |
|
rT |
Résistance de pente en état passant |
|
|
0.25 |
mΩ |
|||
VTM |
Tension de pointe en état passant |
Les mesures de sécurité doivent être prises en compte dans la mesure où elles sont conformes aux exigences de la présente directive. |
25 |
|
|
3.20 |
V. Le groupe |
|
dv/dt |
Taux critique d'augmentation de la tension de seuil |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
|
di/dt |
Taux critique d'augmentation du courant en état actif |
VDM = 67% de VDRM à 2500 A Impulsion de porte tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
125 |
|
|
1500 |
A/μs |
|
Je suis désolé. |
Frais de recouvrement |
ITM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V |
125 |
|
105 |
120 |
Le taux de décharge |
|
Tq |
Temps d'extinction commuté par circuit |
Les données de l'échantillon doivent être fournies à l'échantillon. |
125 |
12 |
|
28 |
μs |
|
TIG |
Courant de déclenchement de porte |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
300 |
Le nombre de |
|
Vgt |
Tension de déclenchement de porte |
0.8 |
|
3.0 |
V. Le groupe |
|||
Je suis |
Courant de maintien |
20 |
|
400 |
Le nombre de |
|||
IL |
Courant de verrouillage |
|
|
1000 |
Le nombre de |
|||
VGD |
Tension de porte non déclenchée |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V. Le groupe |
|
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
À 1800 sinus, double côté refroidi Force de serrage 26kN |
|
|
|
0.018 |
。C /W |
|
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur |
|
|
|
0.004 |
|||
FM |
Force de montage |
|
|
21 |
|
30 |
kN |
|
Tvj |
température de jonction |
|
|
-40 |
|
125 |
。C |
|
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
140 |
。C |
|
Wt |
Poids |
|
|
|
590 |
|
g |
|
Le schéma |
KT54cT |
|||||||
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