La partie n° 1. Les données sont fournies par le système de contrôle de la sécurité.
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Je T(AV) |
1260Une |
V. Le groupe DRM ,V RRM |
1200V 1400V |
Tq |
12~28µs |
CARACTÉRISTIQUES
Applications Typiques
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj( 。C) |
valeur |
unité |
||
min |
Type |
max |
|||||
IF(AV) |
Courant direct moyen |
180。demi-onde sinusoïdale de 50 Hz Refroidissement des deux côtés, TC=85 。C |
175 |
|
|
5000 |
Une |
RRVM |
Voltage inverse de pointe répétitif |
tp = 10 ms |
175 |
200 |
|
400 |
V. Le groupe |
RSI |
Courant de crête répétitif |
à VRRM |
175 |
|
|
50 |
Le nombre de |
MFI |
Courant de surtension avant |
10 ms demi-onde sinusoïdale VR=0VRRM |
175 |
|
|
45 |
kA |
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
10000 |
A2s*103 |
||
VFO |
Voltage de seuil |
Les capacités de décharge sont calculées en fonction des niveaux de décharge.
Les mesures de sécurité doivent être prises en fonction des exigences de la norme ISO. |
175 |
|
|
0.80 |
V. Le groupe |
rF |
Résistance à la pente avant |
|
|
0.040 |
mΩ |
||
VFM |
Voltage maximal en état de marche |
25 |
|
|
1.05 |
V. Le groupe |
|
le |
Temps de récupération inverse |
Les données de la série de tests sont fournies par les autorités compétentes. |
175 |
|
|
4 |
μs |
Je suis désolé. |
Frais de recouvrement |
175 |
|
|
200 |
µC |
|
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
À 1800 sinus, double côté refroidi Force de serrage 30,0kN |
|
|
|
0.010 |
。C /W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur |
|
|
|
0.005 |
||
FM |
Force de montage |
|
|
20 |
30 |
40 |
kN |
Tvj |
température de jonction |
|
|
-40 |
|
175 |
。C |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
175 |
。C |
Wt |
Poids |
|
|
|
150 |
|
g |
Le schéma |
ZT44T |
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