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Thyristor haute fréquence

Thyristor haute fréquence

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Y40KKD, thyristor à haute fréquence

La partie n° 1. Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Brand:
TECHSEM
Spu:
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
Appurtenance:

Brochure produit :TÉLÉCHARGER

  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Je T(AV)

900Une

V. Le groupe DRM V. Le groupe RRM

1200V 1400V

1600V

t Q: Le numéro

18~ 36μs

CARACTÉRISTIQUES

  • Portes amplificatrices interdigitées
  • Allumage rapide et haute di/dt
  • Faibles pertes de commutation
  • Temps d'extinction court
  • Boîtiers métalliques hermétiques avec isolateurs en céramique

Applications Typiques

  • Inductive Chauffage
  • Soudeurs électroniques
  • Auto-commuté inverseur ters
  • - Le climatiseur vitesse du moteur Contrôle

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( C)

valeur

unité

min

Type

max

Les États membres

Courant moyen en état passant

180onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC=55 C

125

900

Une

VDRM VRRM

Tension de crête répétitive hors état Tension de crête répétitive inverse

tp = 10 ms

125

1200

1600

V. Le groupe

Idrm Irrm

Courant de pointe répétitif hors état Courant inverse de pointe répétitif

à VDRM à VRRM

125

50

Le nombre de

ITSM

Courant de surtension en état passant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

125

10

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

500

A2s*103

VTO

Voltage de seuil

125

1.70

V. Le groupe

rT

Résistance de pente en état passant

0.48

VTM

Tension de pointe en état passant

Les mesures de sécurité doivent être prises en fonction des exigences de la norme ISO.

25

3.15

V. Le groupe

dv/dt

Taux critique d'augmentation de la tension de seuil

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Taux critique d'augmentation du courant en état actif

VDM = 67% de VDRM à 1600A

Impulsion de porte tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

33

50

µC

Tq

Temps d'extinction commuté par circuit

Les données de l'échantillon doivent être conservées dans un système de mesure de l'énergie.

125

18

36

μs

TIG

Courant de déclenchement de porte

VA=12V, IA=1A

25

30

250

Le nombre de

Vgt

Tension de déclenchement de porte

0.8

3.0

V. Le groupe

Je suis

Courant de maintien

20

400

Le nombre de

IL

Courant de verrouillage

500

Le nombre de

VGD

Tension de porte non déclenchée

VDM=67%VDRM

125

0.3

V. Le groupe

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 1800 sinusoïdal, refroidi des deux côtés Force de serrage 18kN

0.028

C /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.0075

FM

Force de montage

15

20

kN

Tvj

température de jonction

-40

125

C

TSTG

Température de stockage

-40

140

C

Wt

Poids

320

g

Le schéma

Le nombre de points de contrôle

Le schéma

Y45KKD-2(1).png

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