Y38ZKG, diode de récupération rapide

Je _T(AV)

538Une

V. Le groupe _RRM

4000V 4200V

4500V 5000V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC=85 ℃

538

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

4000

5000

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

150

50

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

150

7.5

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

281

A2s*103

VFO

Voltage de seuil

150

1.89

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

1.18

mΩ

VFM

Tension directe de crête

ITM=1000A, F=15kN

25

3.80

V. Le groupe

MRI

Courant de récupération inverse

Les capacités de décharge doivent être calculées en fonction des niveaux de tension de l'appareil.

150

240

Une

le

Temps de récupération inverse

10

μs

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

720

900

µC

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinus, refroidi des deux côtés Force de serrage 15 kN

0.035

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.008

FM

Force de montage

10

20

kN

Tvj

température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

250

g

Le schéma

ZT33cT