Y24ZKG, Diode à récupération rapide

Je _T(AV)

197Une

V. Le groupe _RRM

4000V 4200V

4500V 5000V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC=85 ℃

150

197

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

4000

5000

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à V _RRM

150

25

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale VR=0.6V _RRM

150

2.7

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

36.5

Une ²s*10 ³

VFO

Voltage de seuil

150

1.95

V. Le groupe

rF

Résistance à la pente avant

4.50

mΩ

VFM

Tension directe de crête

ITM=300A, F=5.0kN

25

3.80

V. Le groupe

MRI

Courant de récupération inverse

Les capacités de décharge doivent être calculées en fonction des niveaux de tension de l'appareil.

150

40

Une

le

Temps de récupération inverse

10

μs

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

80

100

µC

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinus, refroidi des deux côtés Force de serrage 5.0kN

0.080

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.020

FM

Force de montage

3.3

5.5

kN

Tvj

température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

60

g

Le schéma

ZT19aT