Y100ZPG, Diode redresseuse

Je _T(AV)

5650Une

V. Le groupe _RRM

4500V 5000V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC=85 。C

150

5650

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

4300

5000

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

150

300

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

150

60

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

18000

Une ²s*10 ³

VFO

Voltage de seuil

150

0.91

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.10

mΩ

VFM

Tension directe de crête

IFM=5000A, F=108kN

25

2.00

V. Le groupe

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

Les capacités de décharge sont calculées en fonction des niveaux de tension de l'appareil.

150

9000

µC

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinusoïdal, refroidi des deux côtés Force de serrage 108kN

0.0050

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.0015

FM

Force de montage

81

108

kN

Tvj

température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

2000

g

Le schéma

ZT100cT