T50ZPR, Diode redresseuse

Je _T(AV)

970Une

V. Le groupe _RRM

5600V 6000V

Pour les appareils à combustion

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC=100 ℃

150

970

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

5600

6500

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

150

100

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

150

16.5

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

1361

Une ²s*10 ³

VFO

Voltage de seuil

150

0.91

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.60

mΩ

VFM

Tension directe de crête

IFM=1500A, F=26kN

25

2.15

V. Le groupe

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

3500

µC

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinusoïdal, refroidi des deux côtés Force de serrage 26kN

0.022

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

0.005

FM

Force de montage

19

26

kN

Tvj

température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

440

g

Le schéma

ZT50cT/ ZT50dT