Modules de diodes à récupération rapide

RRVM

Type & Contour

600V

800V

1000V

Les autres

1400V

1600V

1800V

1800V

MZx75-06-216F3

MZx75-08-216F3

MZx75-10-216F3

MZx75-12-216F3

MZx75-14-216F3

MZx75-16-216F3

MZx75-18-216F3

MZ75-18-216F3G

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° demi-onde sinusoïdale de 50 Hz

Refroidi par un seul côté, TC=85 ℃

140

75

Une

IF(RMS)

Courant direct RMS

118

Une

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

140

20

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

140

2.0

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

20

10³Une ²s

VFO

Voltage de seuil

140

1.10

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

3.00

M

VFM

Tension directe de crête

IFM=225A

25

2.00

V. Le groupe

le

Temps de récupération inverse

IFM=200A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V

140

3.0

μs

25

2.0

μs

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

Refroidi par un seul côté par puce

0.310

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

Refroidi par un seul côté par puce

0.080

℃ /W

FM

Couple de connexion des bornes (M6)

4.5

6.0

N m

Couple de montage (M6)

4.5

6.0

N m

VISO

Tension d'isolement

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V. Le groupe

Tvj

température de jonction

-40

140

℃

TSTG

Température de stockage

-40

125

℃

Wt

Poids

320

g

Le schéma

216F3