600V~1800V,406F3
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Introduction brève
Modules de diodes à récupération rapide , MZ x40 0,Refroidissement par air ,produit par TECHSEM.
RRVM | Type & Contour |
600V 800V 1000V Les autres 1400V 1600V 1800V 1800V | MZx400-06-406F3 MZx400-08-406F3 MZx400-10-406F3 MZx400-12-406F3 MZx400-14-406F3 MZx400-16-406F3 MZx400-18-406F3 MZx400-18-406F3G |
Caractéristiques ：
Applications Typiques ：
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai | Tj( ℃ ) | valeur |
unité | ||
min | Type | max | |||||
IF(AV) | Courant direct moyen | 180° onde sinusoïdale demi 50Hz Refroidi par un seul côté,TC=60 ℃ |
150 |
|
| 400 | Une |
IF (RMS) | Courant direct RMS |
|
| 628 | Une | ||
RSI | Courant de crête répétitif | à VRRM | 150 |
|
| 70 | Le nombre de |
MFI | Courant de surtension avant | 10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM |
150 |
|
| 8.30 | kA |
I2t | I2t pour coordination de fusion |
|
| 344 | Une 2s*103 | ||
VFO | Voltage de seuil |
|
150 |
|
| 1.0 | V. Le groupe |
rF | Résistance de pente directe |
|
| 0.85 | M | ||
VFM | Tension directe de crête | IFM= 1200A | 25 |
|
| 2.1 | V. Le groupe |
le | Temps de récupération inverse | IFM=300A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V | 150 |
| 4.0 |
| μs |
25 |
| 2.0 |
| μs | |||
Rth(j-c) | Résistance thermique jonction à boîtier | Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
| 0.130 | ℃ /W |
Rth(c-h) | Résistance thermique du boîtier au dissipateur | Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
| 0.040 | ℃ /W |
VISO | Tension d'isolement | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| V. Le groupe |
FM | Couple de connexion des bornes (M10) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N m |
Couple de montage (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N m | |
Tvj | température de jonction |
|
| -40 |
| 150 | ℃ |
TSTG | Température de stockage |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Wt | Poids |
|
|
| 1580 |
| g |
Le schéma | 406F3 | ||||||
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