MUR20040, module de diode de récupération super rapide, TECHSEM

RRVM

Type & Contour

200V

MUR20040-235H3

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen maximum

Refroidi d'un seul côté, TC=100 。C par module.

150

200

Une

RRVM

Tension de crête répétitive

tp = 10 ms

25

400

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

VRM=400V

150

500

μA

25

10

μA

MFI

Courant de surtension avant

Par diode, onde sinusoïdale de demi-période de 8,3 ms

25

1.1

kA

VFM

Tension directe de crête

Par diode @IFM=100A

125

1.1

1.2

V. Le groupe

25

1.2

1.4

V. Le groupe

le

Temps de récupération inverse

IF=0.5A, IRM=1A, IRR=0.25A

125

60

65

N.S.

25

80

100

N.S.

CJ

Capacité de jonction

VR=200V

35

PF

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

Par diode, refroidi par un seul côté

0.40

℃ /W

Tvj

température de jonction

-55

150

℃

TSTG

Température de stockage

-55

125

℃

FM

Couple de connexion des bornes (M6)

5.0

N m

Couple de montage (M6)

5.0

N m

Wt

Poids

105

g

Le schéma

235H3