820A,600V~1800V,416F3
Introduction brève
Thyristor/ Module de diode , MTx 820 Le montant de la dette 820 MT 800,820Une ,Refroidissement par air ,produit par TECHSEM.
RRVM ,VDRM |
Type & Encadré |
|
600V |
MTC820-06-416F3 |
MFC820-06-416F3 |
800V |
MTC820-08-416F3 |
MFC820-08-416F3 |
1000V |
MTC820-10-415F3 |
MFC820-10-416F3 |
Les autres |
MTC820-12-416F3 |
MFC820-12-416F3 |
1400V |
MTC820-14-416F3 |
MFC820-14-416F3 |
1600V |
MTC820-16-416F3 |
MFC820-16-416F3 |
1800V |
MTC820-18-416F3 |
MFC820-18-416F3 |
1800V |
MT820-18-416F3G |
|
Caractéristiques
Applications Typiques
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj(℃) |
valeur |
unité |
||
min |
Type |
max |
|||||
Les États membres |
Courant moyen en état passant |
180° demi-onde sinusoïdale 50Hz refroidi d'un seul côté, Tc=85℃ |
135 |
|
|
820 |
Une |
RMS (en anglais seulement) |
Courant de l'état actif RMS |
180。demi-onde sinusoïdale de 50 Hz |
|
|
1287 |
Une |
|
Idrm Irrm |
Courant de crête répétitif |
à VDRM à VRRM |
135 |
|
|
120 |
Le nombre de |
ITSM |
Courant de surtension en état passant |
10 ms demi-onde sinusoïdale, VR = 0V |
135 |
|
|
20.1 |
kA |
Je 2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
2020 |
Une 2s* 10 3 |
||
VTO |
Voltage de seuil |
|
135 |
|
|
0.81 |
V. Le groupe |
rT |
Résistance de pente en état passant |
|
|
0.24 |
mΩ |
||
VTM |
Tension de pointe en état passant |
Le débit de la commande est de 1500 A. |
25 |
|
|
1.38 |
V. Le groupe |
dv/dt |
Taux critique d'augmentation de la tension de seuil |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Taux critique d'augmentation du courant en état actif |
Source de porte 1.5A tr ≤0.5μs Répétitif |
135 |
|
|
200 |
A/μs |
Tgd |
Temps de retard contrôlé par la porte |
IG= 1A dig/dt= 1A/μs |
25 |
|
|
4 |
μs |
Tq |
Temps d'extinction commuté par circuit |
Les données de l'échantillon doivent être conservées dans un système de mesure de l'énergie. |
135 |
|
250 |
|
μs |
TIG |
Courant de déclenchement de porte |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
250 |
Le nombre de |
Vgt |
Tension de déclenchement de porte |
0.8 |
|
3.0 |
V. Le groupe |
||
Je suis |
Courant de maintien |
10 |
|
300 |
Le nombre de |
||
IL |
Courant de verrouillage |
L'émission de CO2 est calculée en fonction de la fréquence de la chaleur. |
25 |
|
|
1500 |
Le nombre de |
VGD |
Tension de porte non déclenchée |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
0.25 |
V. Le groupe |
DIG |
Courant de sortie non déclencheur |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
5 |
Le nombre de |
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.047 |
°C/W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.015 |
°C/W |
VISO |
Tension d'isolement |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V. Le groupe |
FM |
Couple de connexion des bornes (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N m |
Couple de montage (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N m |
|
Tvj |
température de jonction |
|
|
-40 |
|
135 |
℃ |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Poids |
|
|
|
1410 |
|
g |
Le schéma |
416F3 |
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