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Refroidissement par air

Refroidissement par air

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MTx820, MFx820, Modules Thyristor/Diode, Refroidissement par air

820A,600V~1800V,416F3

  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction brève

Thyristor/ Module de diode , MTx 820 Le montant de la dette 820 MT 800820Une ,Refroidissement par air produit par TECHSEM.

RRVM ,VDRM

Type & Encadré

600V

MTC820-06-416F3

MFC820-06-416F3

800V

MTC820-08-416F3

MFC820-08-416F3

1000V

MTC820-10-415F3

MFC820-10-416F3

Les autres

MTC820-12-416F3

MFC820-12-416F3

1400V

MTC820-14-416F3

MFC820-14-416F3

1600V

MTC820-16-416F3

MFC820-16-416F3

1800V

MTC820-18-416F3

MFC820-18-416F3

1800V

MT820-18-416F3G

Caractéristiques

  • Base de montage isolée 3000V~
  • Technologie de contact sous pression avec
  • Capacité de cyclage de puissance accrue
  • Économie d'espace et de poids

Applications Typiques

  • Moteurs à courant alternatif
  • Divers redresseurs
  • Appareil de commande de courant continu pour le PWM inverse

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj(℃)

valeur

unité

min

Type

max

Les États membres

Courant moyen en état passant

180° demi-onde sinusoïdale 50Hz refroidi d'un seul côté, Tc=85℃

135

820

Une

RMS (en anglais seulement)

Courant de l'état actif RMS

180demi-onde sinusoïdale de 50 Hz

1287

Une

Idrm Irrm

Courant de crête répétitif

à VDRM à VRRM

135

120

Le nombre de

ITSM

Courant de surtension en état passant

10 ms demi-onde sinusoïdale, VR = 0V

135

20.1

kA

Je 2t

I2t pour coordination de fusion

2020

Une 2s* 10 3

VTO

Voltage de seuil

135

0.81

V. Le groupe

rT

Résistance de pente en état passant

0.24

mΩ

VTM

Tension de pointe en état passant

Le débit de la commande est de 1500 A.

25

1.38

V. Le groupe

dv/dt

Taux critique d'augmentation de la tension de seuil

VDM=67%VDRM

135

1000

V/μs

di/dt

Taux critique d'augmentation du courant en état actif

Source de porte 1.5A

tr ≤0.5μs Répétitif

135

200

A/μs

Tgd

Temps de retard contrôlé par la porte

IG= 1A dig/dt= 1A/μs

25

4

μs

Tq

Temps d'extinction commuté par circuit

Les données de l'échantillon doivent être conservées dans un système de mesure de l'énergie.

135

250

μs

TIG

Courant de déclenchement de porte

VA= 12V, IA= 1A

25

30

250

Le nombre de

Vgt

Tension de déclenchement de porte

0.8

3.0

V. Le groupe

Je suis

Courant de maintien

10

300

Le nombre de

IL

Courant de verrouillage

L'émission de CO2 est calculée en fonction de la fréquence de la chaleur.

25

1500

Le nombre de

VGD

Tension de porte non déclenchée

VDM=67%VDRM

135

0.25

V. Le groupe

DIG

Courant de sortie non déclencheur

VDM=67%VDRM

135

5

Le nombre de

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

Refroidi par un seul côté par puce

0.047

°C/W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

Refroidi par un seul côté par puce

0.015

°C/W

VISO

Tension d'isolement

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V. Le groupe

FM

Couple de connexion des bornes (M10)

10.0

12.0

N m

Couple de montage (M6)

4.5

6.0

N m

Tvj

température de jonction

-40

135

TSTG

Température de stockage

-40

125

Wt

Poids

1410

g

Le schéma

416F3

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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