800A,2000V~2500V,410F3
Introduction brève
Thyristor/ Module de diode , MTx 800 Le montant de la dette 800 MT 800,800Une ,Air Réfrigération ,produit par TECHSEM.
VRRM,VDRM |
Type & Contour |
|
600V |
MTx800-06-410F3 |
MFx800-06-410F3 |
800V |
MTx800-08-410F3 |
MFx800-08-410F3 |
1000V |
MTx800-10-410F3 |
MFx800-10-410F3 |
Les autres |
MTx800-12-410F3 |
MFx800-12-410F3 |
1400V |
MTx800-14-410F3 |
MFx800-14-410F3 |
1800V |
MTx800-16-410F3 |
MFx800-16-410F3 |
1800V |
MTx800-18-410F3 |
MFx800-18-410F3 |
1800V |
MT800-18-410F3G |
|
MTx signifie n'importe quel type de MTC, MTA, MTK
MFx signifie tout type Le MFC, MFA, RFC
Caractéristiques
Applications Typiques
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj( ℃ ) |
valeur |
unité |
||
min |
Type |
max |
|||||
Les États membres |
Courant moyen en état passant |
180° demi-onde sinusoïdale de 50 Hz Un seul côté refroidi, TC=70 ℃ |
125 |
|
|
800 |
Une |
RMS (en anglais seulement) |
Courant de l'état actif RMS |
|
|
1256 |
Une |
||
Idrm Irrm |
Courant de crête répétitif |
à VDRM à VRRM |
125 |
|
|
45 |
Le nombre de |
ITSM |
Courant de surtension en état passant |
VR = 60%VRRM, t = 10 ms demi-sinus, |
125 |
|
|
22.0 |
kA |
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
125 |
|
|
2420 |
103A2s |
|
VTO |
Voltage de seuil |
|
125 |
|
|
0.80 |
V. Le groupe |
rT |
Résistance de pente en état passant |
|
|
0.24 |
mΩ |
||
VTM |
Tension de pointe en état passant |
Le nombre de points de contrôle |
25 |
|
|
1.68 |
V. Le groupe |
dv/dt |
Taux critique d'augmentation de la tension de seuil |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Taux critique d'augmentation du courant en état actif |
Source de porte 1.5A tr ≤0.5μs Répétitif |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
TIG |
Courant de déclenchement de porte |
VA=12V, IA=1A |
25 |
30 |
|
200 |
Le nombre de |
Vgt |
Tension de déclenchement de porte |
0.8 |
|
3.0 |
V. Le groupe |
||
Je suis |
Courant de maintien |
10 |
|
200 |
Le nombre de |
||
IL |
Courant de verrouillage |
|
|
1500 |
Le nombre de |
||
VGD |
Tension de porte non déclenchée |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V. Le groupe |
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.048 |
℃ )/W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.020 |
℃ )/W |
VISO |
Tension d'isolement |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
|
3000 |
|
|
V. Le groupe |
FM |
Le couple de connexion du terminal ((M12) |
|
|
12.0 |
|
16.0 |
N m |
Le couple de montage (M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N m |
|
Tvj |
température de jonction |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ ) |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ ) |
Wt |
Poids |
|
|
|
3310 |
|
g |
Le schéma |
410F3 |
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