Modules de thyristor ((Type non isolé)

MT200,Modules de thyristor ((Type non isolé)),TECHSEM

800V~1800V, 210F2NA, 210F2NK

Brand:

TECHSEM

Spu:

MT200

Appurtenance:

Brochure produit :TÉLÉCHARGER

Introduction
Le schéma
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction brève

Modules de thyristor ((Type non isolé) ,MT 200, produit par TECHSEM.

VDRM, VRRM	Type & Contour
800V	MT200-08-210F2NA	MT200-08-210F2NK
1000V	MT200-10-210F2NA	MT200-10-210F2NK
Les autres	MT200-12-210F2NA	MT200-12-210F2NK
1400V	MT200-14-210F2NA	MT200-14-210F2NK
1600V	MT200-16-210F2NA	MT200-16-210F2NK
1800V	MT200-18-210F2NA	MT200-18-210F2NK

CARACTÉRISTIQUES ：

Non isolé. Montage base comme terminal anode ou cathode
Technologie de contact sous pression avec cycle de puissance accru capacité
Tension d'état conducteur faible rop

Applications Typiques ：

Alimentation de soudage
Différentes alimentations continues
Appareil de commande de courant continu pour le PWM inverse

Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai	Tj( ℃ )	valeur			unité
Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai	Tj( ℃ )	min	Type	max	unité
Les États membres	Courant moyen en état passant	18° demi-onde sinusoïdale 50Hz refroidissement unilatéral, Tc=90 ℃	125			200	Une
RMS (en anglais seulement)	Courant de l'état actif RMS		125			314	Une
Idrm Irrm	Courant de crête répétitif	à VDRM à VRRM	125			12	Le nombre de
ITSM	Courant de surtension en état passant	Onde sinusoïdale demi-cycle 10ms VR=60%VRRM	125			5.2	kA
I2t	I2t pour coordination de fusion	Onde sinusoïdale demi-cycle 10ms VR=60%VRRM	125			135	10³A2s
VTO	Voltage de seuil		125			0.80	V. Le groupe
rT	Résistance de pente en état passant		125			1.15	mΩ
VTM	Tension de pointe en état passant	ITM=600A	25			1.62	V. Le groupe
dv/dt	Taux critique d'augmentation de la tension de seuil	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Taux critique d'augmentation du courant en état actif	Source de porte 1.5A tr ≤0.5μs Répétitif	125			100	A/μs
TIG	Courant de déclenchement de porte	VA=12V, IA=1A	25	30		150	Le nombre de
Vgt	Tension de déclenchement de porte			0.8		2.5	V. Le groupe
Je suis	Courant de maintien			20		120	Le nombre de
IL	Courant de verrouillage					1000	Le nombre de
VGD	Tension de porte non déclenchée	VDM=67%VDRM	125			0.2	V. Le groupe
Rth(j-c)	Résistance thermique jonction à boîtier	Un côté refroidi				0.13	℃ /W
Rth(c-h)	Résistance thermique du boîtier au dissipateur	Un côté refroidi				0.10	℃ /W
FM	Couple de connexion des bornes (M6)			4.5		6.0	N m
FM	Couple de montage (M6)			4.5		6.0	N m
Tvj	température de jonction			-40		125	℃
TSTG	Température de stockage			-40		125	℃
Wt	Poids				185		g
Le schéma	210F2NA, 210F2NK