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Introduction brève
Modules de thyristor à coupure rapide ,MK(H)x 300 MK 300,3 00A .Air refroidissement,produit par TECHSEM .
VDRM, VRRM | Type & Contour | |
600V | MKx300-06-405F3 | MHx300-06-405F3 |
800V | MKx300-08-405F3 | MHx300-08-405F3 |
1000V | MKx300-10-405F3 | MHx300-10-405F3 |
Les autres | MKx300-12-405F3 | MHx300-12-405F3 |
1400V | MKx300-14-405F3 | MHx300-14-405F3 |
1600V | MKx300-16-405F3 | MHx300-16-405F3 |
1800V | MKx300-18-405F3 | MHx300-18-405F3 |
Caractéristiques :
Applications Typiques
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai | Tj(°C) | valeur |
unité | ||
min | Type | max | |||||
Les États membres | Courant moyen en état passant | Onde sinusoïdale demi-cycle à 180° 50Hz Refroidi par un seul côté,Tc=55°C |
125 |
|
| 300 | Une |
RMS (en anglais seulement) | Courant de l'état actif RMS |
|
| 471 | Une | ||
Idrm Irrm | Courant de crête répétitif | à VDRM à VRRM | 125 |
|
| 50 | Le nombre de |
ITSM | Courant de surtension en état passant | Onde sinusoïdale demi-cycle 10ms VR=60%VRRM |
125 |
|
| 5.60 | kA |
I2t | I2t pour coordination de fusion |
|
| 160 | Une 2s* 10 3 | ||
VTO | Voltage de seuil |
|
125 |
|
| 1.50 | V. Le groupe |
rT | Résistance de pente en état passant |
|
| 0.75 | mΩ | ||
VTM | Tension de pointe en état passant | ITM=900A | 25 |
|
| 2.20 | V. Le groupe |
dv/dt | Taux critique d'augmentation de la tension de seuil | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 800 | V/μs |
di/dt | Taux critique d'augmentation du courant en état actif | Source de porte 1.5A tr ≤0.5μs Répétitif | 125 |
|
| 200 | A/μs |
Tq | Temps d'extinction commuté par circuit | ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs | 125 | 20 |
| 40 | μs |
25 | 6 |
| 16 | μs | |||
TIG | Courant de déclenchement de porte |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | Le nombre de |
Vgt | Tension de déclenchement de porte | 0.8 |
| 3.0 | V. Le groupe | ||
Je suis | Courant de maintien | 10 |
| 200 | Le nombre de | ||
VGD | Tension de porte non déclenchée | VDM= 67%VDRM | 125 |
|
| 0.2 | V. Le groupe |
Rth(j-c) | Résistance thermique jonction à boîtier | Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
| 0.110 | °C /W |
Rth(c-h) | Résistance thermique du boîtier au dissipateur | Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
| 0.040 | °C /W |
VISO | Tension d'isolement | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 2500 |
|
| V. Le groupe |
FM | Couple de connexion des bornes (M8) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N m |
Couple de montage (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N m | |
Tvj | température de jonction |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | Température de stockage |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Wt | Poids |
|
|
| 1060 |
| g |
Le schéma | 405F3 |
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