800V~1800V, 213F4
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Introduction brève
Modules de diode (type non isolé) ,MDx 200,800V~1800V, produit par TECHSEM.
RRVM |
Type & Contour |
800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MDx200-08-213F4 MDx200-10-213F4 MDx200-12-213F4 MDx200-14-213F4 MDx200-16-213F4 MDx200-18-213F4 |
CARACTÉRISTIQUES ：
Applications Typiques ：
|
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj( 。C) |
valeur |
unité |
||
min |
Type |
max |
|||||
IF(AV) |
Courant direct moyen |
180° demi-onde sinusoïdale de 50 Hz Refroidi d'un seul côté, TC=100 ℃ |
150 |
|
|
200 |
Une |
IF(RMS) |
Courant direct RMS |
|
|
314 |
Une |
||
RSI |
Courant de crête répétitif |
à VRRM |
150 |
|
|
20 |
Le nombre de |
MFI |
Courant de surtension avant |
Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes. |
150 |
|
|
6.2 |
kA |
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
192 |
103A2s |
||
VFO |
Voltage de seuil |
|
150 |
|
|
0.80 |
V. Le groupe |
rF |
Résistance de pente directe |
|
|
0.96 |
M Ω |
||
VFM |
Tension directe de crête |
IFM=600A |
25 |
|
|
1.50 |
V. Le groupe |
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
À 180 ° Je vous en prie. Un côté refroidi par puce |
|
|
|
0.20 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
À 180 ° Je vous en prie. Un côté refroidi par puce |
|
|
|
0.10 |
℃ /W |
|
FM |
Couple de connexion des bornes (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N ·M |
Couple de montage (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N ·M |
|
Tvj |
température de jonction |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Poids |
|
|
|
280 |
|
g |
Le schéma |
213F4 |
||||||
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Vous pouvez suivre leur liste de produits et poser toutes les questions qui vous intéressent.
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