YMIF1000-33,Module IGBT,IGBT à interrupteur unique,CRRC

Module IGBT，3300V 1000A

Brand:

RCRC

Spu:

Les données relatives aux produits de base

Introduction brève

Modules IGBT à haute tension, interrupteur unique produits par CRRC. 3300V 1000A.

Clé Paramètres

Applications Typiques

Applications Typiques

Évaluation maximale absolue

je ne peux pas.	(Paramètre)	(conditions d'essai)	(valeur)	(Unité)
VCES	Voltage du collecteur-émetteur	VGE = 0V, TC= 25 °C	3300	V. Le groupe
VGES	Voltage de l'émetteur de la porte	TC= 25 °C	± 20	V. Le groupe
Le C	Courant collecteur-émetteur	TC = 95 °C	1000	Une
IC(PK)	Courant de collecteur de pointe	t P= 1ms	2000	Une
P max	Dissipation de puissance maximale du transistor	Tvj = 150°C, TC = 25 °C	10.4	kW
Je ne	Diode I2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	kA2s
Le visol	Voltage d'isolation par module	Bornes communes à la plaque de base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	V. Le groupe
Q PD	Décharge partielle par module	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	pC

Caractéristiques électriques

je ne peux pas.		(Paramètre)	(conditions d'essai)	(Min)	(type)	(max)	(Unité)
I CES		Courant de coupure du collecteur	VGE = 0V,VCE = VCES			1	le nombre de
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C			60	le nombre de
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C			100	le nombre de
I GES		Courant de fuite de grille	VGE = ±20V, VCE = 0V			1	μA
VGE (TH)		Tension de seuil de porte	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	V. Le groupe
VCE	(*1) (sat)	Saturation collecteur-émetteur tension	VGE= 15V, I C= 1000A		2.40	2.90	V. Le groupe
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C		2.95	3.40	V. Le groupe
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C		3.10	3.60	V. Le groupe
I F		Courant direct de la diode	CC		1000		Une
I FRM		Le diode est équipé d'un système de décharge de courant	t P = 1ms		2000		Une
VF(*1)		Tension Directe de Diode	I F= 1000A		2.10	2.60	V. Le groupe
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C		2.25	2.70	V. Le groupe
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C		2.25	2.70	V. Le groupe
C ies		Capacité d'entrée	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		170		nF
Q g		Charge de la porte	±15V		17		le taux de décharge
C res		Capacité de transfert inverse	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		4		nF
L M		Inductance du module			15		nH
R INT		Résistance interne du transistor			165		μΩ
I SC		Courant de court-circuit, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3900		Une

le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1800	n.S.
t f	Temps d'automne		530	n.S.
E OFF	Perte d'énergie à l'arrêt		1600	je suis désolé.
le numéro de téléphone	Temps de retard d'activation		680	n.S.
t r	Il est temps de monter.		320	n.S.
Eon	Perte d'énergie à l'activation		1240	je suis désolé.
Q rr	Charge de récupération inverse de la diode	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	780	le taux de décharge
I rr	Courant de récupération inverse de la diode		810	Une
E rec	Énergie de récupération inverse de la diode		980	je suis désolé.
le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1940	n.S.
t f	Temps d'automne		580	n.S.
E OFF	Perte d'énergie à l'arrêt		1950	je suis désolé.
le numéro de téléphone	Temps de retard d'activation		660	n.S.
t r	Il est temps de monter.		340	n.S.
Eon	Perte d'énergie à l'activation		1600	je suis désolé.
Q rr	Charge de récupération inverse de la diode	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	1200	le taux de décharge
I rr	Courant de récupération inverse de la diode	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	930	Une