3300V 250A
Introduction brève
Modules IGBT à haute tension, Pont moitié IGBT produits par CRRC. 3300V 250A.
Paramètres Clés
VCES | 3300 V. Le groupe |
VCE (sat) - Je sais. | 2.5 V. Le groupe |
IC Je suis désolé. | 250 Une |
IC ((RM) Je suis désolé. | 500 Une |
Applications Typiques
Caractéristiques
Maximum absolu Ratings
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | valeur | unité |
VCES | Voltage du collecteur-émetteur | VGE = 0V, TC= 25 °C | 3300 | V. Le groupe |
VGES | Voltage de l'émetteur de la porte | TC= 25 °C | ± 20 | V. Le groupe |
IC | Courant collecteur-émetteur | TC = 100 °C | 250 | Une |
IC(PK) | Courant de collecteur de pointe | tp = 1 ms | 500 | Une |
Pmax | Dissipation de puissance maximale du transistor | Tvj = 150°C, TC = 25 °C | 2.6 | KW |
I2t | Diode I2t | VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C | 20 | KA2s |
Le visol | Tension d'isolement - par module | (Terminaux communs au châssis), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C |
6 |
kV |
QPD | Décharge partielle - par module |
IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS |
10 |
PC |
Caractéristiques électriques
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | unité | ||
Le CIEM |
Courant de coupure du collecteur | VGE = 0V,VCE = VCES |
|
| 1 | Le nombre de | ||
VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C |
|
| 15 | Le nombre de | ||||
VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C |
|
| 25 | Le nombre de | ||||
IGES | Courant de fuite de grille | VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
| 1 | μA | ||
VGE (TH) | Tension de seuil de porte | IC = 20mA, VGE = VCE | 5.5 | 6.1 | 7.0 | V. Le groupe | ||
VCE (sat)(*1) |
Saturation collecteur-émetteur tension | VGE =15V, IC = 250A |
| 2.50 | 2.80 | V. Le groupe | ||
VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C |
| 3.15 | 3.45 | V. Le groupe | ||||
VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C |
| 3.30 | 3.60 | V. Le groupe | ||||
Si | Courant direct de la diode | CC |
| 250 |
| Une | ||
RFI | Courant de pic direct de la diode | tp = 1ms |
| 500 |
| Une | ||
VF(*1) |
Tension Directe de Diode | IF = 250A, VGE = 0 |
| 2.10 | 2.40 | V. Le groupe | ||
IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C |
| 2.25 | 2.55 | V. Le groupe | ||||
IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C |
| 2.25 | 2.55 | V. Le groupe | ||||
CSI | Courant de court-circuit | Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9 |
|
900 |
|
Une | ||
Le CIEM |
Courant de coupure du collecteur | VGE = 0V,VCE = VCES |
|
| 1 | Le nombre de | ||
VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C |
|
| 15 | Le nombre de | ||||
VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C |
|
| 25 | Le nombre de | ||||
IGES | Courant de fuite de grille | VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
| 1 | μA | ||
VGE (TH) | Tension de seuil de porte | IC = 20mA, VGE = VCE | 5.5 | 6.1 | 7.0 | V. Le groupe | ||
VCE (sat)(*1) |
Saturation collecteur-émetteur tension | VGE =15V, IC = 250A |
| 2.50 | 2.80 | V. Le groupe | ||
VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C |
| 3.15 | 3.45 | V. Le groupe | ||||
VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C |
| 3.30 | 3.60 | V. Le groupe | ||||
Si | Courant direct de la diode | CC |
| 250 |
| Une | ||
RFI | Courant de pic direct de la diode | tp = 1ms |
| 500 |
| Une | ||
VF(*1) |
Tension Directe de Diode | IF = 250A, VGE = 0 |
| 2.10 | 2.40 | V. Le groupe | ||
IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C |
| 2.25 | 2.55 | V. Le groupe | ||||
IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C |
| 2.25 | 2.55 | V. Le groupe | ||||
CSI |
Courant de court-circuit | Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9 |
|
900 |
|
Une | ||
td(off) |
Temps de retard de déclenchement |
JeC =250A, V. Le groupeCE = 1800V, V. Le groupeGénéralement générés = ±15 V, rG(OFF) = 9.0Ω , CGénéralement générés = 56nF, Ls = 150nH, | tvj= 25 °C |
| 1480 |
|
N.S. | |
tvj= 125 °C |
| 1550 |
| |||||
tvj= 150 °C |
| 1570 |
| |||||
tF |
Temps d'automne | tvj= 25 °C |
| 1280 |
|
N.S. | ||
tvj= 125 °C |
| 1920 |
| |||||
tvj= 150 °C |
| 2120 |
| |||||
E. Je suis désolé.Éteint |
Perte d'énergie à l'arrêt | tvj= 25 °C |
| 300 |
|
Je suis désolé. | ||
tvj= 125 °C |
| 380 |
| |||||
tvj= 150 °C |
| 400 |
| |||||
td(on) |
Temps de retard d'activation |
JeC =250A, V. Le groupeCE = 1800V, V. Le groupeGénéralement générés = ±15 V, rLe nombre de personnes concernées = 6.0Ω , CGénéralement générés = 56nF, Ls = 150nH, | tvj= 25 °C |
| 640 |
|
N.S. | |
tvj= 125 °C |
| 650 | ||||||
tvj= 150 °C |
| 650 | ||||||
tr |
Il est temps de monter. | tvj= 25 °C |
| 220 |
|
N.S. | ||
tvj= 125 °C |
| 235 | ||||||
tvj= 150 °C |
| 238 | ||||||
E. Je suis désolé.sur |
Énergie d'activation Perte de | tvj= 25 °C |
| 395 |
|
Je suis désolé. | ||
tvj= 125 °C |
| 510 |
| |||||
tvj= 150 °C |
| 565 |
| |||||
Q: Le numéroRR | Diode Inverse Frais de recouvrement |
JeF =250A, V. Le groupeCE = 1800V, - Je ne sais pas.JeF/dt = 1200A/us, (tvj= 125 °C). | tvj= 25 °C |
| 190 |
|
Le taux de décharge | |
tvj= 125 °C |
| 295 |
| |||||
tvj= 150 °C |
| 335 |
| |||||
JeRR | Diode Inverse Courant de récupération | tvj= 25 °C |
| 185 |
|
Une | ||
tvj= 125 °C |
| 210 |
| |||||
tvj= 150 °C |
| 216 |
| |||||
E. Je suis désolé.Réc | Diode Inverse énergie de récupération | tvj= 25 °C |
| 223 |
|
Je suis désolé. | ||
tvj= 125 °C |
| 360 |
| |||||
tvj= 150 °C |
| 410 |
|
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