Toutes les catégories

Module IGBT 3300V

Module IGBT 3300V

Page d'accueil / Produits / Module IGBT / Module IGBT 3300V

YMIBH250-33, Module IGBT, Pont semi-conducteur IGBT, CRRC

3300V 250A

Brand:
RCRC
Spu:
YMIBH250-33/TIM250PHM33-PSA011
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Modules IGBT à haute tension, Pont moitié IGBT produits par CRRC. 3300V 250A.

Paramètres Clés

VCES

3300 V. Le groupe

VCE (sat) - Je sais.

2.5 V. Le groupe

IC Je suis désolé.

250 Une

IC ((RM) Je suis désolé.

500 Une

Applications Typiques

  • Auxiliaires de traction
  • Contrôleur de moteur
  • Helicoptères
  • Inverseur à haute fiabilité

Caractéristiques

  • AISiC plaque de base
  • Substrats AIN
  • Capacité de cycle thermique élevée
  • 10μs de résistance au court-circuit

Maximum absolu Ratings

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

valeur

unité

VCES

Voltage du collecteur-émetteur

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

V. Le groupe

VGES

Voltage de l'émetteur de la porte

TC= 25 °C

± 20

V. Le groupe

IC

Courant collecteur-émetteur

TC = 100 °C

250

Une

IC(PK)

Courant de collecteur de pointe

tp = 1 ms

500

Une

Pmax

Dissipation de puissance maximale du transistor

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

KW

I2t

Diode I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

KA2s

Le visol

Tension d'isolement - par module

(Terminaux communs au châssis), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

6

kV

QPD

Décharge partielle - par module

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

PC

Caractéristiques électriques

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

Le CIEM

Courant de coupure du collecteur

VGE = 0V,VCE = VCES

1

Le nombre de

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

Le nombre de

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

Le nombre de

IGES

Courant de fuite de grille

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Tension de seuil de porte

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V. Le groupe

VCE (sat)(*1)

Saturation collecteur-émetteur tension

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V. Le groupe

Si

Courant direct de la diode

CC

250

Une

RFI

Courant de pic direct de la diode

tp = 1ms

500

Une

VF(*1)

Tension Directe de Diode

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V. Le groupe

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V. Le groupe

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V. Le groupe

CSI

Courant de court-circuit

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

Une

Le CIEM

Courant de coupure du collecteur

VGE = 0V,VCE = VCES

1

Le nombre de

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

Le nombre de

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

Le nombre de

IGES

Courant de fuite de grille

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Tension de seuil de porte

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V. Le groupe

VCE (sat)(*1)

Saturation collecteur-émetteur

tension

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V. Le groupe

Si

Courant direct de la diode

CC

250

Une

RFI

Courant de pic direct de la diode

tp = 1ms

500

Une

VF(*1)

Tension Directe de Diode

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V. Le groupe

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V. Le groupe

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V. Le groupe

CSI

Courant de court-circuit

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

Une

td(off)

Temps de retard de déclenchement

JeC =250A,

V. Le groupeCE = 1800V, V. Le groupeGénéralement générés = ±15 V, rG(OFF) = 9.0Ω , CGénéralement générés = 56nF,

Ls = 150nH,

tvj= 25 °C

1480

N.S.

tvj= 125 °C

1550

tvj= 150 °C

1570

tF

Temps d'automne

tvj= 25 °C

1280

N.S.

tvj= 125 °C

1920

tvj= 150 °C

2120

E. Je suis désolé.Éteint

Perte d'énergie à l'arrêt

tvj= 25 °C

300

Je suis désolé.

tvj= 125 °C

380

tvj= 150 °C

400

td(on)

Temps de retard d'activation

JeC =250A,

V. Le groupeCE = 1800V, V. Le groupeGénéralement générés = ±15 V, rLe nombre de personnes concernées = 6.0Ω , CGénéralement générés = 56nF,

Ls = 150nH,

tvj= 25 °C

640

N.S.

tvj= 125 °C

650

tvj= 150 °C

650

tr

Il est temps de monter.

tvj= 25 °C

220

N.S.

tvj= 125 °C

235

tvj= 150 °C

238

E. Je suis désolé.sur

Énergie d'activation Perte de

tvj= 25 °C

395

Je suis désolé.

tvj= 125 °C

510

tvj= 150 °C

565

Q: Le numéroRR

Diode Inverse

Frais de recouvrement

JeF =250A,

V. Le groupeCE = 1800V,

- Je ne sais pas.JeF/dt = 1200A/us, (tvj= 125 °C).

tvj= 25 °C

190

Le taux de décharge

tvj= 125 °C

295

tvj= 150 °C

335

JeRR

Diode Inverse

Courant de récupération

tvj= 25 °C

185

Une

tvj= 125 °C

210

tvj= 150 °C

216

E. Je suis désolé.Réc

Diode Inverse

énergie de récupération

tvj= 25 °C

223

Je suis désolé.

tvj= 125 °C

360

tvj= 150 °C

410

Le schéma

Obtenez un devis gratuit

Notre représentant vous contactera bientôt.
Email
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

PRODUIT LIÉ

Vous avez des questions sur les produits?

Notre équipe de vente professionnelle attend votre consultation.
Vous pouvez suivre leur liste de produits et poser toutes les questions qui vous intéressent.

Obtenez un devis

Obtenez un devis gratuit

Notre représentant vous contactera bientôt.
Email
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000