pour les appareils de type à commande numérique
Introduction brève
Module IGBT , produit par StarPower. 1700 V 450 A. Je vous en prie.
Caractéristiques
Typique APPLICATIONS
- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation T C = 25 o C à moins autrement noté
L'IGBT
Le symbole |
Description |
Valeur |
Unité |
V. Le groupe Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1700 |
V. Le groupe |
V. Le groupe GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
± 20 |
V. Le groupe |
Je C |
Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100o C |
706 450 |
Une |
Je Cm |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
900 |
Une |
P D |
Puissance maximale Dissipation @ T = 175 o C |
2542 |
Le |
Diode
Le symbole |
Description |
Valeur |
Unité |
V. Le groupe RRM |
Voltage inverse de pointe répétitif |
1700 |
V. Le groupe |
Je F |
Diode à dérive continue le loyer |
450 |
Une |
Je FM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
900 |
Une |
Module
Le symbole |
Description |
Valeur |
Unité |
T jmax |
Température maximale de jonction |
175 |
o C |
T le jouet |
Température de fonctionnement des jonctions |
-40 à +150 |
o C |
T GST |
Température de stockage Autonomie |
-40 à +125 |
o C |
V. Le groupe ISO |
Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V. Le groupe |
L'IGBT Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
V. Le groupe CE (sat) |
Collecteur à émetteur Voltage de saturation |
Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C |
|
1.85 |
2.20 |
V. Le groupe |
Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C |
|
2.25 |
|
|||
Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C |
|
2.35 |
|
|||
V. Le groupe Généralement générés (le ) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
Je C = 18,0 mA,V CE =V Généralement générés , T j = 25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V. Le groupe |
Je Le CES |
Le collecteur Coupe -Éteint Actuel |
V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C |
|
|
5.0 |
le nombre de |
Je GES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Le gint |
Résistance à la porte interne ance |
|
|
1.67 |
|
oh |
C - Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V |
|
54.2 |
|
nF |
C rés |
Transfert inverse Capacité |
|
1.32 |
|
nF |
|
Q: Le numéro G |
Charge de la porte |
V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15...+15V |
|
4.24 |
|
le taux de décharge |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC = 900V,I C =450A, R G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 o C |
|
179 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
105 |
|
n.S. |
|
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
680 |
|
n.S. |
|
t f |
Temps d'automne |
|
375 |
|
n.S. |
|
E. Je suis désolé. sur |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
116 |
|
je suis désolé. |
|
E. Je suis désolé. éteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
113 |
|
je suis désolé. |
|
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC = 900V,I C =450A, R G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C |
|
208 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
120 |
|
n.S. |
|
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
784 |
|
n.S. |
|
t f |
Temps d'automne |
|
613 |
|
n.S. |
|
E. Je suis désolé. sur |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
152 |
|
je suis désolé. |
|
E. Je suis désolé. éteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
171 |
|
je suis désolé. |
|
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC = 900V,I C =450A, R G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C |
|
208 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
120 |
|
n.S. |
|
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
800 |
|
n.S. |
|
t f |
Temps d'automne |
|
720 |
|
n.S. |
|
E. Je suis désolé. sur |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
167 |
|
je suis désolé. |
|
E. Je suis désolé. éteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
179 |
|
je suis désolé. |
|
Je SC |
Données SC |
t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C,V CC = un débit de tension de 1000 V, V. Le groupe MEC ≤ 1700V |
|
1800 |
|
Une |
Diode Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
V. Le groupe F |
Diode vers l'avant Tension |
Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C |
|
1.80 |
2.25 |
V. Le groupe |
Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C |
|
1.95 |
|
|||
Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C |
|
1.90 |
|
|||
Q: Le numéro r |
Charge récupérée |
V. Le groupe R = 900V,I F =450A, -di/dt=4580A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 25 o C |
|
105 |
|
le taux de décharge |
Je RM |
Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
|
198 |
|
Une |
|
E. Je suis désolé. réc |
Récupération Énergie |
|
69.0 |
|
je suis désolé. |
|
Q: Le numéro r |
Charge récupérée |
V. Le groupe R = 900V,I F =450A, -di/dt=4580A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 125o C |
|
187 |
|
le taux de décharge |
Je RM |
Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
|
578 |
|
Une |
|
E. Je suis désolé. réc |
Récupération Énergie |
|
129 |
|
je suis désolé. |
|
Q: Le numéro r |
Charge récupérée |
V. Le groupe R = 900V,I F =450A, -di/dt=4580A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 150o C |
|
209 |
|
le taux de décharge |
Je RM |
Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
|
585 |
|
Une |
|
E. Je suis désolé. réc |
Récupération Énergie |
|
150 |
|
je suis désolé. |
NTC Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
R 25 |
Résistance nominale |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Déviation de R 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Puissance Dissipation |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25 à 50% |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé. |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé. |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé. |
|
3433 |
|
K |
Module Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
L CE |
Inductivité de déplacement |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Module de résistance au plomb, Terminal au chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R le CJJ |
Les points de jonction (par IGB) T) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi |
|
|
0.059 0.083 |
Pour les produits de base |
R thCH |
Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module) |
|
0.031 0.043 0.009 |
|
Pour les produits de base |
M |
Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.m. |
G |
Poids de Module |
|
350 |
|
g |
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