Module IGBT 1200V

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Le collecteur Actuel @ t C = 25 o C

@ t C = 100o C

630

400

Une

Je cm

Impulsé Le collecteur Actuel t P =1 MS

800

Une

P d

Le montant maximal Puissance Dissipation @ t j = 175 o C

2083

Le

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V. Le groupe

Je F

Diode à courant continu vers l'avant

400

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

800

Une

Le symbole

Description

valeur

unité

t jmax

Température maximale de jonction nature

175

o C

t le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Isolement tension RMS ,f=50 HZ , t=1 min

4000

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (assis )

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C = 400A, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C = 400A, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C

1.95

Je C = 400A, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C

2.00

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte tension

Je C = 10.0Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés ,t j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Coupe du collecteur

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,

t j = 25 o C

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V,

t j = 25 o C

400

nA

r Le gint

Résistance interne de la porte

1.9

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz ,

V. Le groupe Généralement générés =0V

41.4

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

1.16

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V... +15V

3.11

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V, Je C = 400A, r g = 2,0Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C

257

N.S.

t r

Il est temps de monter.

96

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

628

N.S.

t F

Temps d'automne

103

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

23.5

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

34.0

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V, Je C = 400A, r g = 2,0Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 125o C

268

N.S.

t r

Il est temps de monter.

107

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

659

N.S.

t F

Temps d'automne

144

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

35.3

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

51.5

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V, Je C = 400A, r g = 2,0Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 150o C

278

N.S.

t r

Il est temps de monter.

118

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

680

N.S.

t F

Temps d'automne

155

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

38.5

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

56.7

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t j = 150 o C ,V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

1600

Une

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

tension

Je F = 400A, V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C

1.80

2.25

V. Le groupe

Je F = 400A, V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 125o C

1.85

Je F = 400A, V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 150o C

1.85

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =600V, Je F = 400A,

-di /dt = 5000 A/μs, V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 25 o C

38.0

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

285

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

19

Je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =600V, Je F = 400A,

-di /dt = 5000 A/μs, V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 125o C

66.5

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

380

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

36.6

Je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =600V, Je F = 400A,

-di /dt = 5000 A/μs, V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 150o C

76.0

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

399

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

41.8

Je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

r CC + EE ’

Résistance au plomb du module, borne à Chip

0.18

mΩ

r le CJJ

Réservoir -à -Cas (par L'IGBT )

Réservoir -à -Cas (par Diode )

0.072

0.095

Pour les produits de base

r thCH

Cas -à -Disjoncteur (par L'IGBT )

Cas -à -Disjoncteur (par Diode )

Pour les appareils de traitement de la chaleur, le système de chauffage doit être équipé d'un système de chauffage de type "H" (exemple:

0.018

0.023

0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vis M6 Montage Couple , Vis M 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

g

Poids de Module

300

g