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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD2400SGT120C4S,Module IGBT,STARPOWER

1200V 2400A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données de référence doivent être fournies par le fabricant.
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 2400A.

CARACTÉRISTIQUES

  • Faible VCE(sat) Tranchée L'IGBT TECHNOLOGIE
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec positifs Température coefficient
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique APPLICATIONS

  • Convertisseurs haute puissance
  • Pilotes de moteur
  • Variateurs de courant alternatif

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Description

Les données de référence doivent être fournies par le fabricant.

Unités

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant Collecteur @ t C = 25

@ T C = 100

3800

2400

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1 MS

4800

Une

Je F

Diode à dérive continue le loyer

2400

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

4800

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j =1 75

12.9

KW

t jmax

Température maximale de jonction

175

t le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

t GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

3400

V. Le groupe

Montage Couple

Vis de terminal de signal:M4

1.8 à 2.1

Vis de terminal d'alimentation:M8

8.0 à 10

N.m.

Vis de montage:M6

4.25 à 5.75

Poids

Poids de Module

2300

g

Électrique Caractéristiques de L'IGBT t C = 25 à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe (BR )Le CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

t j = 25

1200

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =96 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25

5.0

5.8

6.5

V. Le groupe

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C =2400A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C =2400A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125

2.00

Caractéristiques de commutation

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V. Le groupe Généralement générés =±15V,T j = 25

600

N.S.

t R

Il est temps de monter.

215

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

810

N.S.

t F

Temps d'automne

145

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

/

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

/

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V. Le groupe Généralement générés =±15V,T j = 125

695

N.S.

t R

Il est temps de monter.

235

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

970

N.S.

t F

Temps d'automne

182

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

488

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

382

Je suis désolé.

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

173

NF

C oes

Capacité de sortie

9.05

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

7.85

NF

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V,

t j = 125 ℃, V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

9600

Une

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe CC =600V,I C =2400A, V. Le groupe Généralement générés =-15 +15V

23.0

Le taux de décharge

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.42

Oh

L CE

Inductivité de déplacement

10

NH

R CC+EE

Conducteur de module

Résistance,

Terminal au chip

0.12

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

Tension

Je F =2400A

V. Le groupe Généralement générés =0V

t j = 25

1.65

2.05

V. Le groupe

t j = 125

1.65

Q: Le numéro R

Récupéré

charge

Je F =2400A,

V. Le groupe R =600V,

R Gon =0.3Ω,

V. Le groupe Généralement générés =-15V

t j = 25

240

Le taux de décharge

t j = 125

460

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

t j = 25

1650

Une

t j = 125

2150

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

t j = 25

/

Je suis désolé.

t j = 125

208

Caractéristique thermique ics

Le symbole

Paramètre

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

R θ JC

Les points de jonction (par IGB) T)

11.6

K/kW

R θ JC

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

19.7

K/kW

R θ CS

Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite)

4

K/kW

Le schéma

image(b62c578f92).png

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