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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD2400SGT120C4S,Module IGBT,STARPOWER

1200V 2400A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données de référence doivent être fournies par le fabricant.
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT, produit par STARPOWER. 1200V 2400A.

Caractéristiques

  • Faible VCE(sat)TranchéeL'IGBTTechnologie
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat)avecpositifsTempératurecoefficient
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

  • Convertisseurs haute puissance
  • Pilotes de moteur
  • Variateurs de courant alternatif

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation tC= 25 à moins Autrement Noté

 

Le symbole

Description

Les données de référence doivent être fournies par le fabricant.

Unités

V. Le groupeLe CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupeGES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

JeC

Courant Collecteur @tC= 25

@ TC= 100

3800

2400

Une

Jecm

Courant collecteur pulsé tP=1MS

4800

Une

JeF

Diode à dérive continuele loyer

2400

Une

JeFM

Courant Avant Maximum du Diode tP=1ms

4800

Une

Pd

Puissance maximale Dissipation @ Tj=175

12.9

KW

tjmax

Température maximale de jonction

175

tle jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

tGST

Température de stockageAutonomie

-40 à +125

V. Le groupeISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min

3400

V. Le groupe

Montage Couple

Vis de terminal de signal:M4

1.8 à 2.1

 

Vis de terminal d'alimentation:M8

8.0 à 10

N.m.

Vis de montage:M6

4.25 à 5.75

 

Poids

Poids de Module

2300

g

 

 

 

Électrique Caractéristiques de L'IGBT tC= 25 à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

 

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe(BR)Le CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

tj= 25

1200

 

 

V. Le groupe

JeLe CES

Le collecteur Coupe-Éteint

Actuel

V. Le groupeCE=V. Le groupeLe CES,V. Le groupeGénéralement générés=0V,tj= 25

 

 

5.0

Le nombre de

JeGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupeGénéralement générés=V. Le groupeGES,V. Le groupeCE=0V, tj= 25

 

 

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

 

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupeGénéralement générés(Le)

seuil d'émetteur de porte tension

JeC=96Le nombre de,V. Le groupeCE=V. Le groupeGénéralement générés, tj= 25

5.0

5.8

6.5

V. Le groupe

 

V. Le groupeCE (sat)

 

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

JeC=2400A,VGénéralement générés= 15 V, tj= 25

 

1.70

2.15

 

V. Le groupe

JeC=2400A,VGénéralement générés= 15 V, tj= 125

 

2.00

 

Caractéristiques de commutation

 

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

td(sur)

Temps de retard d'activation

 

V. Le groupeCC=600V,IC=2400A, rGon= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

V. Le groupeGénéralement générés=±15V,Tj= 25

 

600

 

N.S.

tr

Il est temps de monter.

 

215

 

N.S.

td(Éteint)

Débranchement Temps de retard

 

810

 

N.S.

tF

Temps d'automne

 

145

 

N.S.

E. Je suis désolé.sur

On le met en marche Le changement

Perte de

 

/

 

Je suis désolé.

E. Je suis désolé.Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

 

/

 

Je suis désolé.

td(sur)

Temps de retard d'activation

 

V. Le groupeCC=600V,IC=2400A, rGon= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

V. Le groupeGénéralement générés=±15V,Tj= 125

 

695

 

N.S.

tr

Il est temps de monter.

 

235

 

N.S.

td(Éteint)

Débranchement Temps de retard

 

970

 

N.S.

tF

Temps d'automne

 

182

 

N.S.

E. Je suis désolé.sur

On le met en marche Le changement

Perte de

 

488

 

Je suis désolé.

E. Je suis désolé.Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

 

382

 

Je suis désolé.

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupeCE= 25V, f=1 MHz,

V. Le groupeGénéralement générés=0V

 

173

 

NF

Coes

Capacité de sortie

 

9.05

 

NF

Crés

Transfert inverse

Capacité

 

7.85

 

NF

 

JeSC

 

Données SC

tP≤ 10 μs,VGénéralement générés=15 V,

tj= 125℃,V. Le groupeCC=900V, V. Le groupeMEC≤1200V

 

 

9600

 

 

Une

Q: Le numérog

Charge de la porte

V. Le groupeCC=600V,IC=2400A, V. Le groupeGénéralement générés=-15 +15V

 

23.0

 

Le taux de décharge

rLe gint

Résistance à la porte interneance

 

 

0.42

 

Oh

LCE

Inductivité de déplacement

 

 

10

 

NH

 

rCC+EE

Conducteur de module

Résistance,

Terminal au chip

 

 

 

0.12

 

 

 

 

 

Électrique Caractéristiques de Diode tC= 25 à moins Autrement Noté

 

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupeF

Diode vers l'avant

tension

JeF=2400A

V. Le groupeGénéralement générés=0V

tj= 25

 

1.65

2.05

V. Le groupe

tj= 125

 

1.65

 

Q: Le numéror

Récupéré

charge

JeF=2400A,

V. Le grouper=600V,

rGon=0.3Ω,

V. Le groupeGénéralement générés=-15V

tj= 25

 

240

 

Le taux de décharge

tj= 125

 

460

 

JeRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

tj= 25

 

1650

 

Une

tj= 125

 

2150

 

E. Je suis désolé.Réc

RécupérationÉnergie

tj= 25

 

/

 

Je suis désolé.

tj= 125

 

208

 

Caractéristique thermiqueics

 

Le symbole

Paramètre

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

rθJC

Les points de jonction (par IGB)T)

 

11.6

K/kW

rθJC

Les points de contact entre les deux cas (par D)iode)

 

19.7

K/kW

rθCS

Boîtier à dissipateur (application de graisse conductricefaite)

4

 

K/kW

 

Le schéma

image(b62c578f92).png

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