IDG75X12T2, IGBT discrète, puissance de démarrage

Le symbole

Description

Valeurs

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C

150

75

Une

Je cm

Impulsé Le collecteur Actuel t P limité Par t vjmax

225

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T vj = 175 o C

852

Le

Le symbole

Description

Valeurs

unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive Âge

1200

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

75

Une

Je FM

Impulsé Le collecteur Actuel t P limité Par t vjmax

225

Une

Le symbole

Description

Valeurs

unité

t vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +175

o C

t GST

Plage de température de stockage

-55 à +150

o C

t s

Température de soudage,1.6mm f rom case for 10s

260

o C

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =75A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 25 o C

1.75

2.20

V. Le groupe

Je C =75A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 150 o C

2.10

Je C =75A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 175 o C

2.20

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =3.00 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t vj = 25 o C

5.0

5.8

6.5

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t vj = 25 o C

250

μA

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t vj = 25 o C

100

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

2.0

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

6.58

NF

C oes

Capacité de sortie

0.40

C rés

Transfert inverse Capacité

0.19

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V

0.49

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =75A, R g = 4,7Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, Ls=40nH,

t vj = 25 o C

41

N.S.

t R

Il est temps de monter.

135

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

87

N.S.

t F

Temps d'automne

255

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

12.5

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

3.6

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =75A, R g = 4,7Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, Ls=40nH,

t vj = 150 o C

46

N.S.

t R

Il est temps de monter.

140

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

164

N.S.

t F

Temps d'automne

354

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

17.6

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

6.3

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =75A, R g = 4,7Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, Ls=40nH,

t vj = 175 o C

46

N.S.

t R

Il est temps de monter.

140

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

167

N.S.

t F

Temps d'automne

372

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

18.7

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

6.7

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t vj = 175 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

300

Une

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

1.75

2.20

V. Le groupe

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T vj =15 0o C

1.75

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T vj =17 5o C

1.75

le

Diode à l'envers Temps de récupération

V. Le groupe R =600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V Généralement générés =-15 V, Ls=40nH,

t vj = 25 o C

267

N.S.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

4.2

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

22

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

1.1

Je suis désolé.

le

Diode à l'envers Temps de récupération

V. Le groupe R =600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V Généralement générés =-15 V, Ls=40nH,

t vj = 150 o C

432

N.S.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

9.80

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

33

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

2.7

Je suis désolé.

le

Diode à l'envers Temps de récupération

V. Le groupe R =600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V Généralement générés =-15 V, Ls=40nH,

t vj = 175 o C

466

N.S.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

11.2

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

35

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

3.1

Je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.176 0.371

Pour les produits de base

R thJA

Jonction-à-Ambiant

40

Pour les produits de base