H76ZYR,diode de récupération souple

Les États membres

800A

RRVM

6000V ～ 6500V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés

TC=70 ℃

125

800

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

125

6000

6500

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

125

300

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10 ms demi-onde sinusoïdale VR = 0

125

18

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

1620

10³Une ²s

VFO

Voltage de seuil

125

1.90

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

1.10

mΩ

VFM

Tension directe de crête

Les mesures de la température sont décrites ci-dessous.

25

4.80

V. Le groupe

MRI

Courant de récupération inverse

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

125

900

Une

le

Temps de récupération inverse

20

μs

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

5000

Le taux de décharge

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° force de serrage sinusoïdale doublement refroidie 24 kN

0.010

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

0.003

FM

Force de montage

35

47

kN

Tvj

température de jonction

-40

125

℃

TSTG

Température de stockage

-40

140

℃

Wt

Poids

1100

g

Le schéma

ZT73cT