H76ZYG,diode de récupération souple

Je _T(AV)

2200A

V. Le groupe _RRM

4000V 4200V

Les autres

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

Le zinc = 55 ℃

125

2200

Une

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

125

240

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

125

23

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

2645

A2s* 103

VFO

Voltage de seuil

125

1.65

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.26

mΩ

VFM

Tension directe de crête

@IFM=3000A,

F=40kN

25

2.80

V. Le groupe

@IFM=5000A

125

2.98

Réglage de la fréquence de la ligne

Voltage de récupération avant maximal

di/dt= 1000A/μs

125

80

V. Le groupe

25

40

V. Le groupe

MRI

Courant de récupération inverse

IFM=2000A,tp=4000μs, -di/dt=60A/μs, VR=50V

125

400

Une

le

Temps de récupération inverse

8.0

μs

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

2000

Le taux de décharge

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 1800 sinusoïdal, refroidi des deux côtés Force de serrage 40kN

0.010

° /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.003

FM

Force de montage

35

47

kN

Je suis un homme.

Plage de température de fonctionnement

-40

125

℃

TSTG

Température de stockage

-40

150

℃

Wt

Poids

1460

g

Le schéma

ZT73dT