H50KPU,Thyristor de contrôle de phase

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj(℃ )

valeur

unité

min

Type

max

Les États membres

Courant moyen en état passant

180° demi-onde sinusoïdale de 50 Hz

Refroidi des deux côtés, TC=70 。C

125

600

Une

VDRM VRRM

Tension de crête répétitive hors état Tension de crête répétitive inverse

tp = 10 ms

125

7300

8500

V. Le groupe

Idrm Irrm

Courant de crête répétitif

@ VDRM @ VRRM

125

200

Le nombre de

ITSM

Courant de surtension en état passant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

125

9.8

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

480

A2s*103

VTO

Voltage de seuil

125

1.04

V. Le groupe

rT

Résistance de pente en état passant

2.33

mΩ

VTM

Tension de pointe en état passant

ITM=1000A, F=24kN

25

2.95

V. Le groupe

dv/dt

Taux critique d'augmentation de la tension de seuil

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

Taux critique d'augmentation du courant en état actif

VDM= 67%VDRM à 2000A,

Impulsion de porte tr ≤0.5μs IGM ＝ 2.0A

125

100

A/μs

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

µC

TIG

Courant de déclenchement de porte

VA=12V, IA=1A

25

40

300

Le nombre de

Vgt

Tension de déclenchement de porte

0.8

3.0

V. Le groupe

Je suis

Courant de maintien

25

200

Le nombre de

IL

Courant de verrouillage

500

Le nombre de

VGD

Tension de porte non déclenchée

VDM=0.67VDRM

125

0.3

V. Le groupe

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 1800 sinus, refroidi des deux côtés Force de serrage 24.0kN

0.022

。C /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

0.005

。C /W

FM

Force de montage

19

24

26

kN

Tvj

température de jonction

-40

125

℃

TSTG

Température de stockage

-40

140

℃

Wt

Poids

560

g

Le schéma

KT50dT