Coupure rapide

H38KFM, Thyristor à coupure rapide non symétrique

Numéro de pièce H38KFM-KT33cT

Brand:

TECHSEM

Spu:

H38KFM-KT33cT

Appurtenance:

Brochure produit :TÉLÉCHARGER

Introduction
Le schéma:

Introduction

Je T(AV)	350Une
V. Le groupe DRM	4000V~45 00V
V. Le groupe RRM	1000V~3000V
t Q: Le numéro	50~ 120µs

CARACTÉRISTIQUES

Excellentes caractéristiques dynamiques
Allumage rapide et haute di/dt
Faibles pertes de commutation

Applications Typiques

Conçu pour des applications d'alimentation par onduleur

Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai			Tj(℃ )	valeur			unité
Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai			Tj(℃ )	min	Type	max	unité
Les États membres	Courant moyen en état passant	180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,		TC=55°C	125			350	Une
VDRM	Tension de seuil répétitive	tp = 10 ms			125	4000		4500	V. Le groupe
RRVM	Voltage inverse de pointe répétitif	tp = 10 ms			125	1000		3000	V. Le groupe
Idrm Irrm	Courant de crête répétitif	à VDRM à VRRM			125			60	Le nombre de
ITSM	Courant de surtension en état passant	10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM			125			5.0	kA
I2t	I2t pour coordination de fusion	10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM			125			125	A2s*103
VTO	Voltage de seuil				125			1.48	V. Le groupe
rT	Résistance de pente en état passant				125			2.00	mΩ
VTM	Tension de pointe en état passant	ITM=1000A, F=15kN	50≤tq≤60		25			3.60	V. Le groupe
VTM	Tension de pointe en état passant	ITM=1000A, F=15kN	61≤tq≤120		25			2.80	V. Le groupe
dv/dt	Taux critique d'augmentation de la tension de seuil	VDM=0.67VDRM			125			1000	V/μs
di/dt	Taux critique d'augmentation du courant en état actif	VDM= 67%VDRM à 1000A, Impulsion de porte tr ≤0.5μs IGM=1.5A			125			1200	A/μs
Je suis désolé.	Frais de recouvrement	ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V			125		350		µC
Tq	Temps d'extinction commuté par circuit	ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs			125	50		120	μs
TIG	Courant de déclenchement de porte	VA=12V, IA=1A			25	40		250	Le nombre de
Vgt	Tension de déclenchement de porte					0.9		2.5	V. Le groupe
Je suis	Courant de maintien					20		400	Le nombre de
IL	Courant de verrouillage							500	Le nombre de
VGD	Tension de porte non déclenchée	VDM=67%VDRM			125			0.3	V. Le groupe
Rth(j-c)	Résistance thermique jonction à boîtier	À 1800 sinus, refroidi des deux côtés Force de serrage 15kN						0.035	。C /W
Rth(c-h)	Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur	À 1800 sinus, refroidi des deux côtés Force de serrage 15kN						0.008	。C /W
FM	Force de montage					10		20	kN
Tvj	température de jonction					-40		125	℃
TSTG	Température de stockage					-40		140	℃
Wt	Poids						250		g
Le schéma	KT33cT

Le schéma:

H100KFM-2(1).png

Toutes les catégories

Coupure rapide

Coupure rapide

Module IGBT

IGBT discrète

MOSFET

module IGCT

Module de diode

Appareil de type capsule

Module de thyristor/diode

Invertisseur

Débutant doux

Servo-entraînement robotisé

UAV (Pile à hydrogène)

Relais haut de gamme

H38KFM, Thyristor à coupure rapide non symétrique

Introduction

Le schéma:

PRODUIT LIÉ

MD600-A, Modules de Diodes

MDC160,Module de diode de soudage,Refroidissement par air

T65ZPR, Diode redresseuse

MDC90,Module de diode de soudage,Refroidissement par air

Y53ZPA-B, Diode de soudage sans boîtier

Y50KFG,Thyristor à déconnexion rapide non symétrique

Vous avez des questions sur les produits?

Toutes les catégories

Coupure rapide

Coupure rapide

H38KFM, Thyristor à coupure rapide non symétrique

Introduction

Le schéma:

Obtenez un Devis Gratuit

PRODUIT LIÉ

Vous avez des questions sur les produits?

Obtenez un Devis Gratuit