H125ZPR, Diode redresseuse

Je _T(AV)

5250Une

V. Le groupe _RRM

5200V 5600V

6000V 6500V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC=100 ℃

150

5250

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

5100

6500

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

150

400

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

150

84

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

35280

Une ²s*10 ⁴

VFO

Voltage de seuil

150

0.81

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.12

mΩ

VFM

Tension directe de crête

IFM=5000A, F=140kN

25

1.65

V. Le groupe

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

20000

µC

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinusoïdal, refroidi des deux côtés Force de serrage 140kN

0.004

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.001

FM

Force de montage

110

140

kN

Tvj

température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

3420

g

Le schéma

ZT110cT/ ZT110dT