H100ZPR, Diode redresseuse

Je _T(AV)

4380Une

V. Le groupe _RRM

5200V 5600V

6000V 6500V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC= 100 ℃

150

4380

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

5100

6500

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

150

300

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

150

57

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

16200

Une ²s* 10 ³

VFO

Voltage de seuil

150

0.88

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.16

mΩ

VFM

Tension directe de crête

IFM=5000A, F= 108kN

25

1.70

V. Le groupe

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

Les capacités de charge sont calculées en fonction des niveaux de tension du système.

150

17000

Le taux de décharge

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinusoïdal, refroidi des deux côtés Force de serrage 108kN

0.0057

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.0015

FM

Force de montage

81

108

kN

Tvj

température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

2020

g

Le schéma

ZT100cT