GD950HTX75P6HBT

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 950V 750A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
Faibles pertes de commutation
Capacité de court-circuit de 6 μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Température maximale de la jonction 175 ℃
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Baseplate en cuivre isolé à broches ₃N ₄technologie AMB

Applications Typiques

Application automobile
Véhicule hybride et électrique
Invertisseurs pour moteur

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole	Description	Valeurs	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	750	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je Nom de la CN	Collecteur Cu implémenté Rente	950	Une
Je C	Courant du collecteur @ T F =110 o C	450	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	1900	Une
P d	Dissipation de puissance maximale Le projet @ t F =75 o C t j = 175 o C	1162	Le

Diode

Le symbole	Description	Valeurs	unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive Âge	750	V. Le groupe
Je FN	Collecteur Cu implémenté Rente	950	Une
Je F	Diode courant continu avant Cu Rente	450	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	1900	Une

Module

Le symbole	Description	valeur	unité
t jmax	Température maximale de jonction	175	o C
t le jouet	Température de fonctionnement de la jonction continue Pendant 10 secondes dans une période de 30 secondes, occurrence maximum 3000 fois sur toute la durée de vie	-40 à +150 +150 à +175	o C
t GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		1.25	1.50	V. Le groupe
		Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C		1.35
		Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t j = 175 o C		1.40
		Je C =950A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		1.60
		Je C =950A,V Généralement générés = 15 V, t j = 175 o C		2.05
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte Tension	Je C =9.60 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C	5.0	5.7	7.0	V. Le groupe
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte Tension	Je C =9.60 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 175 o C		3.5		V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			1.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance interne de la porte			0.7		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE =50V, f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		42.1		NF
C oes	Capacité de sortie			1.80		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			1.18		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe CE =400V,I C =450A, V Généralement générés =-8... +15V		3.01		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =400V,I C =450A, R g = 2,4Ω, L s =24 NH V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, t j = 25 o C		126		N.S.
t R	Il est temps de monter.			62		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			639		N.S.
t F	Temps d'automne			149		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			17.3		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			25.4		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =400V,I C =450A, R g = 2,4Ω, L s =24 NH V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, t j = 150 o C		136		N.S.
t R	Il est temps de monter.			68		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			715		N.S.
t F	Temps d'automne			221		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			22.5		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			31.0		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =400V,I C =450A, R g = 2,4Ω, L s =24 NH V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, t j = 175 o C		138		N.S.
t R	Il est temps de monter.			68		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			739		N.S.
t F	Temps d'automne			227		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			24.8		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			32.6		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤6μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,		5100		Une
		t j = 25 o C,V CC =400V, V. Le groupe MEC ≤750V
		t P ≤3μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 175 o C,V CC =400V, V. Le groupe MEC ≤750V		3800

Diode Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.40	1.65	V. Le groupe
		Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C		1.35
		Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j =1 75o C		1.30
		Je F =950A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.75
		Je F =950A,V Généralement générés =0V,T j =1 75o C		1.75
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =400V,I F =450A, -di/dt=7070A/μs,V Généralement générés = 8V L s =24 NH ,t j = 25 o C		16.0		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			254		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			5.03		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =400V,I F =450A, -di/dt=6150A/μs,V Généralement générés = 8V L s =24 NH ,t j = 150 o C		36.0		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			320		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			9.49		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =400V,I F =450A, -di/dt=6010A/μs,V Généralement générés = 8V L s =24 NH ,t j = 175 o C		40.5		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			338		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			10.5		Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
R 25	Résistance nominale			5.0		KΩ
∆R/R	Déviation de R 100	t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	MW
B 25 à 50%	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.		3375		k
B 25/80	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.		3411		k
B 25/100	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.		3433		k

Module Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
L CE	Inductivité de déplacement		8		NH
R CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		0.75		mΩ
P	Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit t plaque de base <40 o C t plaque de base >40 o C (pression relative)			2.5 2.0	Barre
R thJF	Réservoir -à -Réfrigération Fluide (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 o C		0.075 0.118	0.086 0.136	Pour les produits de base
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.m.
g	Poids de Module		750		g