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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD800HFX120C6HA,Module IGBT,STARPOWER

1200V 800A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD800HFX120C6HA
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 800A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

  • L Technologie IGBT à tranchée avec faible VCE(sat)
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Substrat en Si3N4 pour une faible résistance thermique
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie AMB en Si3N4

Applications Typiques

  • Véhicule hybride et électrique
  • Invertisseurs pour moteur
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 100 o C

800

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

1600

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

5172

Le

Diode

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive Âge

1200

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

800

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

1600

Une

Module

Le symbole

Description

valeur

unité

t jmax

Température maximale de jonction

175

o C

t le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= Une minute.

2500

V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C

1.95

2.40

V. Le groupe

Je C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C

2.30

Je C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C

2.40

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =24.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C

1.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

0.7

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

62.1

NF

C rés

Transfert inverse Capacité

1.74

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V

4.66

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 800A, R g =1.0Ω, V Généralement générés = ± 15 V, L s =40 NH ,t j = 25 o C

266

N.S.

t R

Il est temps de monter.

98

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

394

N.S.

t F

Temps d'automne

201

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

108

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

73.8

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 800A, R g =1.0Ω, V Généralement générés = ± 15 V, L s =40 NH ,t j = 125 o C

280

N.S.

t R

Il est temps de monter.

115

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

435

N.S.

t F

Temps d'automne

275

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

153

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

91.3

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 800A, R g =1.0Ω, V Généralement générés = ± 15 V, L s =40 NH ,t j = 150 o C

282

N.S.

t R

Il est temps de monter.

117

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

446

N.S.

t F

Temps d'automne

290

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

165

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

94.4

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t j = 150 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

2400

Une

Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F = 800 A, V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

2.00

2.45

V. Le groupe

Je F = 800 A, V Généralement générés =0V,T j =1 25o C

2.15

Je F = 800 A, V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

2.20

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=5800A/μs,V Généralement générés =-15V, L s =40 NH ,t j = 25 o C

48.1

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

264

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

18.0

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=4800A/μs,V Généralement générés =-15V, L s =40 NH ,t j = 125 o C

95.3

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

291

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

35.3

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=4550A/μs,V Généralement générés =-15V, L s =40 NH ,t j = 150 o C

107

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

293

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

38.5

Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

R 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de R 100

t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

MW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.

3375

k

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.

3411

k

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.

3433

k

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

R le CJJ

Réservoir -à -cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.029 0.050

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. Diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.028 0.049 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

g

Poids de Module

350

g

Le schéma

image(c537ef1333).png

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